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1. 半半導(dǎo)體資料是財(cái)產(chǎn)興盛的基石半半導(dǎo)體資料是創(chuàng)造半半導(dǎo)體器件和集成通路的電子資料，也是所有半半導(dǎo)體產(chǎn) 業(yè)的普通，其完備半半導(dǎo)體性，導(dǎo)熱本領(lǐng)介于半導(dǎo)體與非導(dǎo)體之間。

1.1.第一代半半導(dǎo)體資料

第一代半半導(dǎo)體資料主假如指硅(Si)、鍺(Ge)半半導(dǎo)體資料，興盛于二十 世紀(jì)五十歲月，啟發(fā)了以集成通路為中心的微電子財(cái)產(chǎn)的趕快興盛，被普遍的 運(yùn)用于耗費(fèi)電子、通訊、光伏、軍事以及宇航航天等多個范圍。在上世紀(jì) 90 歲月之前，硅資料吞噬了一致主宰位置，暫時大普遍的半半導(dǎo)體器件及集成通路 產(chǎn)物仍舊運(yùn)用硅晶圓來創(chuàng)造，硅器件占到了寰球出賣的半半導(dǎo)體產(chǎn)物的 95%之上。

而寰球上第一只晶體管是由鍺消費(fèi)出來的，對立于硅，鍺最外層電子能級 較高，以是完備更好的導(dǎo)熱本能，然而對立會爆發(fā)更多不需要的熱量，其余硅 產(chǎn)物完備更低的價錢以及更多的儲量，所以最后硅代替了鍺。

1.2.第二代半半導(dǎo)體資料

第二代半半導(dǎo)體資料是以砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)為主的復(fù)合物半 半導(dǎo)體，其重要被用來創(chuàng)造高頻、高速以及大功率元器件，在衛(wèi)星通信、挪動 通信以及光通信等范圍有較為普遍的運(yùn)用。砷化鎵和磷化銦半半導(dǎo)體萊塞變成 光通訊體例中的要害器件，同聲砷化鎵高速器件也開辟了光導(dǎo)纖維及挪動通訊的新 財(cái)產(chǎn)。

1.3.第三代半半導(dǎo)體資料本能上風(fēng)鮮明

第三代半半導(dǎo)體資料囊括了以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代辦的寬禁帶復(fù)合物半半導(dǎo)體。第一二代半半導(dǎo)體資料工藝仍舊漸漸逼近物理極限，在微電子 范圍的摩爾定理發(fā)端漸漸作廢，而第三代半半導(dǎo)體是不妨勝過摩爾定理的。

比擬于第一代及第二代半半導(dǎo)體資料，第三代半半導(dǎo)體資料在高溫、高耐壓以 及接受大交流電等多個上面完備鮮明的上風(fēng)，所以更符合于創(chuàng)造高溫、高頻、抗 輻射及大功率器件。

在器件的本能比較上，GaN 資料以及 SiC 資料在通態(tài)電阻以及擊穿電壓方 面都完備較大的上風(fēng)。

第三代半半導(dǎo)體資料運(yùn)用不妨分為微電子以及光電子范圍，簡直不妨細(xì)分為 風(fēng)力元器件、微波發(fā)射電波頻率、看來光通訊、太陽能、半半導(dǎo)體照明、紫外光保存、 激光表露以及紫外探測器等范圍，希望沖破保守半半導(dǎo)體本領(lǐng)的瓶頸，與第一代、 第二代半半導(dǎo)體本領(lǐng)互補(bǔ)，對節(jié)約能源減排、財(cái)產(chǎn)轉(zhuǎn)型晉級、催產(chǎn)新的財(cái)經(jīng)延長點(diǎn)將表現(xiàn)要害效率。

1.4.國度連接推出策略扶助第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)興盛

國度對于第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)興盛供給了連接連接的策略上面的扶助，2016 年，國務(wù)院推出了《國務(wù)院對于照發(fā)“十三五”國度高科技革新籌備的報告》， 個中初次提到要加速第三代半半導(dǎo)體芯片本領(lǐng)與器件的研制;2019 年 6 月商務(wù)部 及發(fā)改委在激動官商入股名單中減少了扶助引進(jìn) SiC 超細(xì)粉體官商企業(yè);2019 年 11 月工信部照發(fā)《中心新資料首批次運(yùn)用演示引導(dǎo)目次》，個中 GaN 單晶襯 底、功率器件用 GaN 外延片、SiC 外延片，SiC 單晶襯底等第三代半半導(dǎo)體產(chǎn)物 加入目次;2019 年 12 月國務(wù)院在《長江三角洲地區(qū)—體化興盛籌備大綱》中 精確訴求加速培養(yǎng)構(gòu)造第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)，激動創(chuàng)造業(yè)高品質(zhì)興盛。

除去行業(yè)策略激動，在財(cái)政與稅收策略上面，第三代半半導(dǎo)體同屬于集成通路財(cái)產(chǎn)， 同樣享用國度對集成通路企業(yè)所得稅優(yōu)惠策略，先后囊括 2019 年 5 月財(cái)務(wù)部 及稅務(wù)總局照發(fā)的《對于集成通路安排和軟硬件財(cái)產(chǎn)企業(yè)所得稅策略的公布》， 對準(zhǔn)照章創(chuàng)造且適合前提的集成通路安排企業(yè)和軟硬件企業(yè)，在 2018 年 12 月 31 日前自收獲年度起計(jì)劃優(yōu)惠期，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第 五年依照 25%的法定稅收的比率折半征收企業(yè)所得稅，并享用至期滿為止;并在 2020 年 7 月再次推出《新功夫激動集成通路財(cái)產(chǎn)和軟硬件財(cái)產(chǎn)高品質(zhì)興盛的幾何策略》， 對于國度激動的集成通路安排、裝置、資料、封裝、嘗試企業(yè)和軟硬件企業(yè)，自 收獲年度起，第一年至第二年免征企業(yè)所得稅，第三年至第六年依照 25%的法 定稅收的比率折半征收企業(yè)所得稅。

除去國度層面包車型的士扶助策略外，據(jù) CASA 統(tǒng)計(jì)表露，2019 年我國場合各級政 府合計(jì)出場 32 項(xiàng)策略，進(jìn)一步扶助第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)的興盛，扶助的上面包 括集群培養(yǎng)、科學(xué)研究贊美、人才培養(yǎng)以及名目招標(biāo)等，2019 年各地經(jīng)過策略將實(shí) 質(zhì)性的人、財(cái)、物質(zhì)源注入，激動著各地財(cái)產(chǎn)積聚加快。

在十三五功夫，高科技部經(jīng)過“國度中心研制本領(lǐng)”扶助了勝過 30 項(xiàng)第三 代半半導(dǎo)體關(guān)系的研制名目，經(jīng)過對普通前沿本領(lǐng)的接洽，對財(cái)產(chǎn)興盛起到了持 續(xù)助力的效率。

2019 年對準(zhǔn)第三代半半導(dǎo)體的財(cái)產(chǎn)投資本額逐年提高，按照 CASA 統(tǒng)計(jì)，2019 年投資本額合計(jì) 265.8 億元，完全比擬 2018 年投資本額飛騰 54.53%，個中 SiC 名目金額 220.8 億元，占比 83.07%，GaN 名目金額 45 億元。

1.5.國表里第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)鏈日益完備

第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)鏈與普遍半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)鏈形式相一致，普遍分為襯底、外 延成長、安排、創(chuàng)造以及封裝這五個過程，同樣也生存 IDM 形式，實(shí)行了安排 創(chuàng)造的一體化。

從氮化鎵財(cái)產(chǎn)鏈公司來看，海外公司在本領(lǐng)勢力以及生產(chǎn)能力上維持較大的領(lǐng) 先。GaN 龍頭企業(yè)以 IDM 形式為主，個中 Qorvo 具有自己的晶圓代工場以及封 測廠，在國防以及 5G 發(fā)射電波頻率芯片范圍完備較大上風(fēng)，在 2017 年 Qorvo 最早推出39Ghz 雙通道 GaNFET，并在 2018 年推出行業(yè)內(nèi)部最強(qiáng) GaN-on-SiC 晶體管;Infineon 則是潛心于功率半半導(dǎo)體范圍，重要產(chǎn)物會合在 6 英尺 GaN 產(chǎn)線上，8 英尺產(chǎn)線 也在籌備傍邊，公司是商場上獨(dú)一不妨供給氮化鎵等全系列功率產(chǎn)物的公司。 海內(nèi)廠商囊括蘇州能華、華功半半導(dǎo)體以及英諾賽科等，個中英諾賽科建交華夏首條 8 英尺硅基氮化鎵外延與芯片大范圍量產(chǎn)消費(fèi)線，公司產(chǎn)物在氮化鎵快充范圍完備國際超過的本領(lǐng)勢力。GaN 襯底商場重要由阿曼住友電工、三菱化學(xué)也以及新越化學(xué)主宰，其商場份額占到 90%之上，不妨老練供給 4 英尺以及 6 英尺 GaN 襯底，海內(nèi)廠商品郵遞包裹 括蘇州納維以及東莞中鎵，暫時仍舊實(shí)行 2 英尺氮化鎵襯底產(chǎn)物量產(chǎn)，對于 4 英尺氮化鎵仍居于研制及試消費(fèi)階段，與國際超過廠商本領(lǐng)還生存確定差異。

商場上合流的 GaN 外延片供給商囊括阿曼 NTTAT，其不妨供給用來大功率 集成通路及高頻次通訊范圍的高品德氮化鎵外延片;比利時公司 EpiGaN 可提 供 4、6 英尺氮化鎵外延晶圓，普遍用來 5G 通信、高效風(fēng)力電子、發(fā)射電波頻率功率、 傳感器等范圍，暫時公司仍舊率先實(shí)行了 8 英尺硅基氮化鎵晶圓量產(chǎn)，消費(fèi)工 藝居于行業(yè)進(jìn)步程度。海內(nèi)廠商囊括晶湛半半導(dǎo)體、蘇州能華以及華功半半導(dǎo)體等， 個中晶湛仍舊建交了年產(chǎn) 1 萬片 6 英尺氮化鎵外延片消費(fèi)線，在寰球具有勝過 150 家馳名半半導(dǎo)體存戶，本領(lǐng)勢力仍舊向國際超過程度鄰近。

從事 GaN 芯片安排廠商囊括 EPC、GaN Sys 以及 Navitas 等公司，其重要 是面向功率器件安排，安譜隆以及 RFHIC 重要面向發(fā)射電波頻率關(guān)系范圍，個中安譜隆 在 2018 年被華夏本錢以 18 億歐元采購，極大提高了我國在 GaN 器件安排范圍 的勢力。

為安排公司供給晶圓代工的廠商囊括穩(wěn)懋、TSMC、富士通、寰球進(jìn)步、Cree 等，海內(nèi)海威華芯、三安集成等新興代工場也完備 GaN 晶圓代工本領(lǐng)。

SiC 財(cái)產(chǎn)鏈同樣以 IDM 形式為主，重要的商場份額被 Infineon、Cree、羅姆以及意法半半導(dǎo)體吞噬。Cree 子公司 Wolfspeed 掩蓋了 SiC 全財(cái)產(chǎn)鏈消費(fèi)本領(lǐng)， 在商場上吞噬了主宰位置，在 SiC 器件范圍商場份額到達(dá)了 62%;Infineon 在 SiC 范圍的功率器件同樣也完備較多的本領(lǐng)積聚，于 1992 年發(fā)端 SiC 范圍研制，2001 年推出寰球首個貿(mào)易化 SiC 二極管，2006 年推出寰球首個沿用 SiC 組件 的商用水源模塊，暫時仍舊興盛至第六代。與國際權(quán)威比擬，海內(nèi) IDM 廠商泰 科天潤、瑞能半半導(dǎo)體以及華潤微再有較大差異。

SiC 襯底龍頭為美利堅(jiān)合眾國 Cree，吞噬了商場約 40%的份額，其余還囊括道康寧、 II-VI 以及 Rohm 等公司，商場份額勝過 90%。海內(nèi)廠商囊括山東天岳、天科合 達(dá)以及河北同光等，個中天科合達(dá)完備數(shù)十年的出賣體驗(yàn)，在 2019 年出賣金 額仍舊到達(dá)了 1.55 億元，凈成本為三萬萬，功績連接飛騰;其次是山東天岳， 其在 2020 年也獲得了華為的入股扶助，將來有較大的延長空間。

在外延片步驟，重要份額被 Cree、道康寧、Rohm 等吞噬，海內(nèi)瀚每天成 也完備 3 英尺、4 英尺及 6 英尺碳化硅外延片的消費(fèi)本領(lǐng)，是海內(nèi)排名第一的 碳化硅外延片消費(fèi)商，寰球存戶勝過 100 家。

因?yàn)檠赜?IDM 形式完備較好的本錢上風(fēng)，SiC 芯片安排企業(yè)數(shù)目較少，海外重要囊括 USCi、Bruckewell 等，海內(nèi)主假如瞻芯電子、蘇州鍇威特以及基 本半半導(dǎo)體。代工場商海內(nèi)囊括三安集成，其余地域囊括 SUNY Poly、離子束、 X-fab 等公司。

2. 寰球第三代半半導(dǎo)體商場振奮興盛2.1.SiC 及 GaN 在運(yùn)用范圍上上風(fēng)互補(bǔ)

GaN 和 SiC 在資料本能上各有是非，所以在運(yùn)用范圍上各有偏重和互補(bǔ)。 SiC 與 GaN 比擬，對準(zhǔn) SiC 資料的接洽功夫更長，對立本領(lǐng)老練度更高，其在 導(dǎo)熱率上完備更多的上風(fēng)，所以在高功率運(yùn)用，比方高速鐵路、輸變電、新動力汽 車以及產(chǎn)業(yè)遏制等范圍吞噬主本地位;GaN 資料的上風(fēng)在乎具有更高的電子遷 移率，所以會比 SiC 和 Si 有更高的電門速率，在高頻次范圍完備上風(fēng)，比方 微波發(fā)射電波頻率以及數(shù)據(jù)重心等運(yùn)用場景。

2.2.GaN 在發(fā)射電波頻率及快充范圍展現(xiàn)亮眼

按照 Yole 統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，2018 年 GaN 完全商場范圍為 6.45 億美元，個中無線 通信運(yùn)用范圍為 3.04 億美元，軍事運(yùn)用范圍為 2.7 億美元，將來在郵電通信普通 辦法以及國防兩大運(yùn)用的激動下，估計(jì)到 2024 年，GaN 商場范圍將延長至 20.01 億美元，年復(fù)合延長率為 21%，個中無線通信運(yùn)用范圍將到達(dá) 7.52 億美元，同 比延長 147.43%，發(fā)射電波頻率關(guān)系運(yùn)用范圍從 200 萬美元大幅延長至 1.04 億元，延長 近 50 倍。

通信基站動作 GaN 延長激動要害的卑劣之一，按照 Qorvo 估測計(jì)算，寰球 4G 及 5G 基站潛伏商場在 2022 年估計(jì)將到達(dá) 16 億美元。

5G 發(fā)射電波頻率體例因?yàn)橐\(yùn)用到高頻載波會合以及高頻帶等多種新本領(lǐng)，整體制 統(tǒng)攙雜度大幅普及，所以運(yùn)用 GaN 等新本領(lǐng)將大幅削減體例功耗，下圖中左側(cè) 為鍺化硅基 MIMO 地線，其由 1024 個元件形成，裸部分積為 4096 平方毫米，輻射功率為 65dBm，即使沿用 GaN 資料來創(chuàng)造，完全元件數(shù)目將縮小至 192 個， 裸部分積僅為 250 平方毫米，仍能維持輻射功率靜止，固然價錢有確定水平的 普及，然而功耗貶低了 40%，本錢不妨貶低 80%。

商場上 GaN 器件創(chuàng)造工藝分為 GaN-on-SiC、GaN-on-Si 以及 GaN-on-Diamond，個中前兩種較為合流。因?yàn)?GaN-on-SiC 在功效、散熱性以 及尺寸等上面完備上風(fēng)，所以吞噬了商場上較多的商場份額。按照 Yole 猜測， 將來跟著 GaN-on-Si 的本領(lǐng)老練，并在智高手機(jī)中文大學(xué)范圍運(yùn)用，希望啟發(fā) GaN-on-Si 商場范圍的大幅提高，并在 2030 年安排勝過 GaN-on-SiC。

趕快充氣范圍也將是 GaN 將來要害的延長點(diǎn)。充氣器體驗(yàn)了袖珍化以及高 功率興盛趨向，從早期的重達(dá) 300g-700g 的充氣器，到暫時仍舊減少至 100g 以內(nèi)，充氣功率也普及至 100w 之上，完全體積展示了特殊鮮明的減小。GaN 快 充在現(xiàn)有的快充本領(lǐng)的普通上，經(jīng)過將中心器件調(diào)換至 GaN，使順利機(jī)趕快充 電器不妨做到大功率、小體積。

快充功率連年來表露連接飛騰的態(tài)勢，暫時最高的充氣功率仍舊勝過了 100W，并跟著充氣功率的提高，對 GaN 器件的偏好也將漸漸提高，在 100W 以 上的充氣功率，GaN 資料將吞噬一致的超過位置。在快充范圍海內(nèi)廠商小米、 OPPO 以及 VIVO 走在了行業(yè)前者，將來跟著本領(lǐng)的漸漸老練，其余大哥大廠商也 將趕快跟進(jìn)，按照 yole 對關(guān)系數(shù)據(jù)的猜測，在平常情景下，到 2024 年完全快 充商場范圍將到達(dá) 3.5 億美元，在達(dá)觀假如下，完全商場范圍將勝過 7.5 億美 元。

2020 年 2 月 13 日，小米頒布了 65W 氮化鎵充氣器，據(jù)小米首席實(shí)行官雷 軍引見，該款充氣器具備玲瓏、高效、發(fā)燒低等特性，對一塊 4500mAH 的超大 干電池從 0%充氣至 100%僅需 45 秒鐘，小米就此也變成了第一家將氮化鎵 USB PD快充獨(dú)立零賣的品牌大哥大企業(yè)，而且 149 元的零賣價更是創(chuàng)下行業(yè)新低，激勵 業(yè)渾家士莫大關(guān)心。小米 GaN 充氣器 Type-C 65W 內(nèi)置智能辨別芯片，不妨兼 容市情上合流智高手機(jī)、Type-C 接口的條記本電腦及其它電子擺設(shè)。

暫時 GaN 快充氣源重要沿用的是 650V 氮化鎵功率芯片(GaNFET)包辦傳 統(tǒng) MOSFET 動作功率電門，因?yàn)閯?chuàng)造工藝上具備較大的難度，現(xiàn)階段寰球完備 老練 GaN 充氣器的廠商格外有限，重要囊括美利堅(jiān)合眾國 PI、納微半半導(dǎo)體以及華夏的英 諾賽科。

按照充氣頭網(wǎng)統(tǒng)計(jì)，暫時商場上仍舊展示了數(shù)十款各品牌的 GaN 快充充氣 器，囊括 Anker、Baseus、MI、OPPO 等著名品牌，價錢基礎(chǔ)上在 200 元安排， 將來跟著氮化鎵快充發(fā)端浸透大哥大和條記本等電子擺設(shè)的配件商場，商場含量 希望趕快夸大。

2.3.SiC 中心運(yùn)用于電動公共汽車范圍

按照 Yole 關(guān)系匯報，SiC 器件商場范圍在 2018 年為 4.3 億美元安排，到 2019 年延長至 5.64 億美元，將來仍將維持穩(wěn)步延長，估計(jì)在 2025 年完全商場 范圍將到達(dá) 32 億美元安排，每年平均復(fù)合延長率維持在 30%之上。

從 SiC 卑劣運(yùn)用占比來看，暫時電動公共汽車范圍吞噬了重要商場，將來跟著 SiC 車用逆變器的大范圍沿用，公共汽車商場占比還將連接飛騰，變成 SiC 商場增 長的重要激動力。SiC 用在車用逆變器上，不妨大幅度貶低逆變器尺寸和分量， 做到輕量化與節(jié)約能源。在溝通功率等第下，全 SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模 塊，同聲也不妨使電門耗費(fèi)貶低 75%(芯片溫度為 150°C)。在溝通封裝下， 全 SiC 模塊完備更高的交流電輸入本領(lǐng)，扶助逆變器到達(dá)更高功率。

獨(dú)立看車用 SiC 商場，2018 年至 2019 年電動公共汽車商場對碳化硅逆變器的 作風(fēng)展示了極大的變化，特斯拉行家行業(yè)內(nèi)部率先運(yùn)用 SiC 本領(lǐng)，Model 3 沿用了 意法半半導(dǎo)體和英飛凌的 SiC 逆變器，是第一家在主逆變器中集玉成 SiC 功率模 塊的車企，其余廠商也發(fā)端商量碳化硅產(chǎn)物的運(yùn)用題目，繼特斯拉之后，比亞 迪也在 2019 年小批量的運(yùn)用了碳化硅逆變器，個中比亞迪漢 EV，是海內(nèi)首款 運(yùn)用自決研制 SiC 模塊的電動公共汽車，這不只是自決運(yùn)用第三代半半導(dǎo)體資料的開 始，更是 SiC 加入中高端量產(chǎn)車的發(fā)端。

據(jù) Cree 估測計(jì)算，SiC 逆變器不妨提高 5-10%的續(xù)航，儉樸 400-800 美元的電 池本錢，與新增 200 美元的 SiC 器件本錢對消后，不妨實(shí)行起碼 200 美元的單 車本錢低沉。據(jù)羅姆估測計(jì)算，估計(jì)到 2026 年簡直一切搭載 800V 能源干電池的車型 都將沿用 SiC 計(jì)劃。

其余，車載 OBC 和 DC/DC，仍舊發(fā)端沿用 SiC 器件，將 PFC 通路中二極管 切換為了 SiC SBD，大概將 OBC 的 DC/DC 通路 MOSFET 管改為 SiC MOSFET。全 SiC 計(jì)劃也希望從 2021 年發(fā)端量產(chǎn)。

在 2018 年，車用 SiC 商場范圍為 4.2 億美元安排，占到完全商場份額的 27%，估計(jì)到 2024 年，車用 SiC 模塊商場范圍將延長至 19.3 億美元，占到 SiC 商場份額的一半安排，每年平均復(fù)合延長率高達(dá) 29%。

完全來看，固然第三代半半導(dǎo)體興盛速率很快，然而暫時保持居于早期的產(chǎn) 品導(dǎo)出階段，按照華夏電子本領(lǐng)規(guī)范化接洽院以及 yole 數(shù)據(jù)表露，2019 年， 第三代半半導(dǎo)體 SiC 以及 GaN 的浸透率核計(jì)約為 1.77%，估計(jì)到 2023 年不妨提高 至 4.75%安排。

2.4.我國第三代半半導(dǎo)體商場趨向進(jìn)取

從海內(nèi)商場來看，第三代半半導(dǎo)體重要運(yùn)用范圍為耗費(fèi)電子、產(chǎn)業(yè)以及新能 源公共汽車范圍，占比辨別為 28%、26%以及 11%，耗費(fèi)電子范圍中快充為產(chǎn)物翻開 了新的運(yùn)用空間;產(chǎn)業(yè)范圍中，新一代半半導(dǎo)體器件不妨明顯貶低電門耗費(fèi)并提 高電門頻次，極大普及能量變換功效，到達(dá)節(jié)約能源減排的手段;在新動力公共汽車領(lǐng) 域，特斯拉率先在公共汽車逆變器模組上沿用了 SiC 資料，指領(lǐng)會將來財(cái)產(chǎn)的興盛 目標(biāo)，各大整車廠也發(fā)端跟進(jìn)，激動力第三代半半導(dǎo)體器件在公共汽車范圍的興盛。

按照 CASA 統(tǒng)計(jì)，2016 年至 2019 年我國第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)值表露連接普及 的態(tài)勢。2019 年，我國 SiC 和 GaN 卑劣財(cái)產(chǎn)囊括風(fēng)力電子以及微波產(chǎn)值合計(jì)達(dá) 到了 64 億元，同期相比延長了 53.07%，近三年的復(fù)合延長率高達(dá) 260%。

在風(fēng)力電子范圍，跟著財(cái)產(chǎn)本領(lǐng)的老練，SiC 及 GaN 器件相較于 Si 器件的 本能上風(fēng)愈發(fā)鮮明，第三代功率器件的浸透率漸漸提高，運(yùn)用范圍更加普遍， 除去保守的光伏逆變以及新動力公共汽車范圍，耗費(fèi)電子以及數(shù)據(jù)重心等貿(mào)易電源 商場也變成新的延長點(diǎn)。按照 CASA 猜測，到 2024 年我國第三代半半導(dǎo)體風(fēng)力電 子器件商場范圍將到達(dá) 200 億元安排，每年平均復(fù)合增長速度勝過 40%。

3. 中心關(guān)心公司3.1.華潤微

公司是海內(nèi)超過的功率半導(dǎo)機(jī)制造廠商，完備從芯片安排、創(chuàng)造及封測的 全財(cái)產(chǎn)鏈本領(lǐng)，公司對準(zhǔn)第三代半半導(dǎo)體財(cái)產(chǎn)機(jī)會，主動構(gòu)造，暫時仍舊創(chuàng)造了 世界首條 6 英尺 SiC 商用消費(fèi)線，籌備生產(chǎn)能力 1000 片/月，重要運(yùn)用范圍囊括太 陽能逆變器、通信電源、效勞器及儲能擺設(shè)等。

本年公司于慕尼黑上海電子展上召開了 SiC 新品頒布會，向商場正式頒布 了 1200V 及 650V 產(chǎn)業(yè)級的肖特基二極管產(chǎn)物，同聲也頒布公司 6 英尺 SiC 產(chǎn) 線正式量產(chǎn)，不妨充溢滿意商場需要，將來公司將視商場情景，運(yùn)用現(xiàn)有擺設(shè) 夸大生產(chǎn)能力。

除去自行建造晶圓產(chǎn)線外，公司還主動拓展碳化硅財(cái)產(chǎn)鏈，公司和廈門瀚每天 成完畢了增資擴(kuò)股和議后，持有了瀚每天成 3.2418%的股權(quán)。瀚每天成創(chuàng)造于 2011 年，是一家集研制、消費(fèi)和出賣碳化硅外延晶圓為一體的高新技術(shù)本領(lǐng)企業(yè)， 公司經(jīng)過引進(jìn)寰球最新的碳化硅消費(fèi)線及高端檢驗(yàn)和測定擺設(shè)，不妨供給財(cái)產(chǎn)化 3 英 寸、4 英尺及 6 英尺碳化硅外延片，是國第一的碳化硅外延片消費(fèi)商，寰球客 戶勝過 100 家。

公司產(chǎn)物囊括肖特基二極管，MOSFET，JEFT，BJT，IGBT，晶閘管，GTO 等， 實(shí)用于太陽能風(fēng)能逆變器、電動公共汽車以及其余新動力范圍，不妨滿意 600V 至 6500V 碳化硅風(fēng)力元器件的電壓范疇的訴求。

3.2.三安光電

公司對準(zhǔn)了復(fù)合物半半導(dǎo)體的宏大后勁，創(chuàng)造了三安集成通路有限公司，并 將其定位為復(fù)合物半半導(dǎo)體研制創(chuàng)造和效勞公司，并于 2014 年發(fā)端樹立 6 萬片/ 年的 GaN 外延片的消費(fèi)線，在 2017 年頒布公司 HBT 工藝經(jīng)過了中心存戶產(chǎn)物 認(rèn)證，2018 年 12 月推放洋內(nèi)第一家 6 英尺 SiC 晶圓代工制造過程，且十足工藝鑒 定考查仍舊實(shí)行。

公司不妨供給制造過程 0.5μm 的 GaN 晶圓代工交易，最高電壓不妨到達(dá) 650V， 目的效勞于耗費(fèi)電子和產(chǎn)業(yè)運(yùn)用，如適配重，效勞器 smp，無線電源，車載充 電器等范圍;將來還將供給 200V 及 100V 實(shí)用于與 POE 直流電變換、HD 音頻、LED前照燈以及電機(jī)變頻器等范圍的晶圓代工效勞。

在 SiC 代工本領(lǐng)上面，暫時不妨供給 650/1200V SiC JBS 器件代工效勞， 重要運(yùn)用范圍囊括 DC/AC 逆變器、功率因子矯正通路、電門電源等范圍;將來 還將推出 SiC MOSFET 代工效勞，不妨運(yùn)用于新動力以及電動公共汽車范圍。

重要的代工產(chǎn)物囊括碳化硅肖特基二極管，氮化鎵場效力晶體管等。

……

（匯報看法屬于原作家，僅供參考。作家：東方財(cái)產(chǎn)證券，危鵬華）

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