（匯報(bào)出品方/領(lǐng)會師：國金證券 姚遙）

1、平價(jià)期間仍需降低成本增效，N 型干電池本領(lǐng)迭代加快 1.1 從財(cái)產(chǎn)鏈各別步驟的觀點(diǎn)對于提效的需要性

平價(jià)上鉤期間仍需關(guān)心光伏度電本錢的低沉。按照國際可復(fù)活動力署（IRENA）頒布的《2020 年可復(fù)活動力火力發(fā)電本錢匯報(bào)》，寰球晶硅光伏火力發(fā)電名目加權(quán)平衡火力發(fā)電本錢由 2010 年的約 0.381 美元/度大幅低沉至 2020 年 的約 0.057 美元/度，低沉幅度到達(dá) 85%，并估計(jì) 2022 年寰球太陽能光伏火力發(fā)電的平衡本錢降至為 0.04 美元，較 2020 年低沉 30%，比燃煤火力發(fā)電低 27%之上。

度電本錢的趕快低沉靈驗(yàn)的激動了光伏財(cái)產(chǎn)的興盛，光伏火力發(fā)電也漸漸變成新式風(fēng)力體例的要害構(gòu)成局部，然而須要精確的是度電本錢再有進(jìn)一步低沉的空間，光伏火力發(fā)電的位置也須要進(jìn)一步堅(jiān)韌。更加是在無補(bǔ)助期間，卑劣光伏發(fā)電站對于 IRR 的關(guān)心水平進(jìn)一步加深，督促其上流組件、干電池廠商對于經(jīng)過本領(lǐng)超過降低成本有著急迫需要。

從結(jié)尾收益率的觀點(diǎn)看：光伏本領(lǐng)興盛與革新的基礎(chǔ)目的是激動 LCOE 的貶低，對應(yīng)到典范的運(yùn)用場景，即是巨型大地發(fā)電站的的 LCOE 貶低。

以巨型大地發(fā)電站為例，用度重要囊括：火力發(fā)電擺設(shè)、興辦工程費(fèi)、其余用度、計(jì)劃費(fèi)、樹立期本錢等，那些用度較為恒定，難以大幅貶低。降低成本空間較大的主假如在組件端，組件在總本錢中占比到達(dá)一半安排，所以是降低成本的要害步驟。

組件功效的提高不妨經(jīng)過提高干電池變換功效、矯正組件端本領(lǐng)等來處置。

發(fā)電站經(jīng)營期內(nèi)火力發(fā)電量的幾何對于 LCOE 的上下爆發(fā)要害感化。

干電池變換功效越高，對應(yīng)到溝通規(guī)格尺寸的組件，就會具有更高的功率。同聲，在一致功率下，具有更好火力發(fā)電個性（衰減率、溫升系數(shù)、雙面率、弱光效力等）的干電池本領(lǐng)具有更好的火力發(fā)電量展現(xiàn)。所以為了進(jìn)一步貶低光伏火力發(fā)電的度電本錢，必需要進(jìn)一步普及太陽能干電池變換功效、連接提高干電池本能，進(jìn)而普及 IRR 程度。

從財(cái)產(chǎn)鏈中廠商的觀點(diǎn)看：光伏電價(jià)是卑劣發(fā)電站 IRR 的要害感化成分，而 IRR 徑直感化到卑劣對光伏產(chǎn)物的需要。

按照國度發(fā)改委統(tǒng)計(jì)，2020 年光伏火力發(fā)電平價(jià)上鉤名目裝機(jī)范圍 33.05GW，相較 2019 年的 14.8GW 有較大延長。

對于組件、干電池廠商來說，怎樣同聲面臨卑劣光伏發(fā)電站企業(yè)對于較低 LCOE 的追乞降上流各步驟對成本的擠壓是亟待處置的題目。暫時來看，經(jīng)過功效普及提高產(chǎn)物比賽上風(fēng)、攤薄本錢是破局最靈驗(yàn)的道路。

所以長久來看，組件本領(lǐng)與新式干電池本領(lǐng)的貫串水平、干電池本領(lǐng)的進(jìn)步性分別大約率變成感化組件和干電池企業(yè)分裂水平的最要害成分。

1.2 光電變換功效的感化成分

光伏火力發(fā)電的興盛趨向是普及變化功效和貶低本錢，個中普及變化功效是貶低本錢的最要害辦法之一。光伏火力發(fā)電變化功效計(jì)劃如次所示：

太陽能干電池變換功效 是最大輸入電功率與相映的輸出光功率之比，按照光伏火力發(fā)電變化功效計(jì)劃公式，能量變換功效 與開路電壓（）、短路交流電（）或短路交流電密度（）、彌補(bǔ)因子（）關(guān)系最為出色，所以經(jīng)過本領(lǐng)研制和矯正普及上述三個參數(shù)的數(shù)值是普及太陽能干電池變換功效的要害道路。

1.3 復(fù)盤：PERC 迭代 BSF 進(jìn)程中伴跟著多個要害步驟的共通超過

在光伏行業(yè)興盛前期，晶硅太陽能干電池重要沿用了 AI-BSF 干電池本領(lǐng)，即慣例鋁背場干電池本領(lǐng)（Aluminium Back Surface Field）。

BSF 太陽能干電池本領(lǐng)重要運(yùn)用在光伏興盛早期階段，固然 BSF 干電池本領(lǐng)本錢便宜，但變換 功效不高，且本領(lǐng)上有自然缺點(diǎn)。

跟著趕快拉晶、金剛線切片、裂片化等本領(lǐng)晉級的范圍運(yùn)用，單晶發(fā)端代替多晶變成合流，因?yàn)閱尉зY料自己的高品德特性、多晶資料自己沒轍克復(fù)的上位錯密度和高雜質(zhì)缺點(diǎn)，所以單晶比擬多晶在變換功效上面具備天才上風(fēng)。

跟著 2017 年 PERC 本領(lǐng)的老練加上單晶本錢的趕快貶低，PERC 本領(lǐng)發(fā)端大范圍代替 BSF 本領(lǐng)變成太陽能干電池合流本領(lǐng)。

回憶 PERC 趕快代替 BSF 的過程，不妨看到多個要害步驟的共通效率：

1、變換功效上面有明顯提高。

以 2017 年為例，按照 CPIA 統(tǒng)計(jì)，當(dāng) 年合流 BSF P 型多晶黑硅干電池平衡變換功效為 18.7%，而 PERC P 型 單晶干電池平衡變換功效可到達(dá) 21.3%，有 2.6%的功效提高。對應(yīng)到組 件端（以 60 片為例），有 27W 安排的功率提高。

2、擺設(shè)入股明顯低沉。

跟著干電池消費(fèi)線要害擺設(shè)的國產(chǎn)化過程連接加快，擺設(shè)入股本錢低沉速率超預(yù)期。按照 CPIA 統(tǒng)計(jì)，2017 年慣例 BSF 產(chǎn)線擺設(shè)入股仍為 5.35 億元/GW，但是加入 2018 年 PERC 產(chǎn)線擺設(shè)入股低沉至 4.2 億元/GW，2018 年興建干電池產(chǎn)線均為 PERC。

3、單晶與多晶實(shí)行性價(jià)比回轉(zhuǎn)。

金剛線切割本領(lǐng)的普遍使單多晶硅片本錢長久性減少。按照 PV infoLink 統(tǒng)計(jì)，2017 年頭多晶漸漸導(dǎo)出金剛線切割本領(lǐng)，但降低成本幅度不如單晶。且單晶硅片在具有更好個性的普通上，2018 年頭與多晶硅片的價(jià)差進(jìn)一步減小，加快了單晶硅片的商場份額的趕快提高。

4、組件端本質(zhì)價(jià)差低于有理價(jià)差，督促商場痛快接收單晶 PERC 組件；干電池端仍有較大價(jià)差，督促 PERC 生產(chǎn)能力趕快蔓延。

跟據(jù)咱們陰謀， 2016-2019 年，單晶 BSF 組件與單晶 PERC 組件有理價(jià)差該當(dāng)在 0.09-0.22 元，但是按照 PV infoLink 統(tǒng)計(jì)，2018 年頭單晶 PERC 組件的單 W 售價(jià)趕快貶低，而且在短功夫?qū)嵭辛吮举|(zhì)價(jià)差低于有理價(jià)差。

因?yàn)閱尉?PERC 組件具有更好的變換功效和個性，所以在同價(jià)程度下性價(jià)比溢出，進(jìn)而引導(dǎo)市占率趕快提高。

在干電池片端，跟據(jù) PV infoLink 統(tǒng)計(jì)，2017 年終至 2019 年中，單晶 PERC 干電池片從來與普遍單晶干電池片維持確定價(jià)差。這也引導(dǎo)干電池企業(yè)具有極大的關(guān)切去舉行 PERC 對于 BSF 的本領(lǐng)晉級和變革，所以 PERC 的市占率趕快提高，實(shí)行對 BSF 的代替。

PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)干電池本領(lǐng)，全稱為鈍化放射極和背后干電池本領(lǐng)。

與 BSF 比擬，PERC 太陽干電池以背后局域點(diǎn)交戰(zhàn)的情勢代替了全鋁背場,縮小了背外表復(fù)合速度,鞏固了背曲射本能,進(jìn)而提高了干電池的開路電壓和短路交流電，從而普及了太陽能干電池變換功效。

PERC 本領(lǐng)道路與 BSF 本領(lǐng)道路工藝過程的莫大普遍性也是 PERC 代替 BSF 如許之快的一個要害因?yàn)椤?/p>

與 BSF 本領(lǐng)比擬，PERC 本領(lǐng)僅需在原有的工藝過程中減少只需特殊減少鈍化膜堆積擺設(shè)(PECVD 擺設(shè)或 ALD 擺設(shè)) 和激光開槽擺設(shè)，所以不妨對原有的 BSF 產(chǎn)線舉行晉級變革。大大貶低了單元入股本錢。

其余，因?yàn)楦呻姵財(cái)[設(shè)的國產(chǎn)化水平加快普及，單元入股本錢也居于連接低沉的階段。暫時 PERC 本領(lǐng)產(chǎn)線的重要擺設(shè)均不妨實(shí)行國產(chǎn)化。

1.4 PERC 本領(lǐng)功效漸近極限，合流高效干電池本領(lǐng)行將發(fā)端財(cái)產(chǎn)化過程

截止 2021 年終，P 型 PERC 干電池本領(lǐng)仍是商場合流，合流 PERC 干電池片的變換功效約在 23%安排，暫時 PERC 干電池變換功效寰球記錄為隆基創(chuàng)作的 24.05%，逼近 ISFH 24.5%的試驗(yàn)室功效極限。

所以因?yàn)樽儞Q功效的瓶頸，不管是保守干電池片步驟企業(yè)或是一體化廠商都在全力探求本領(lǐng)上的矯正和功效上的沖破。

半半導(dǎo)體按照摻雜時元素品種的分別分為 P 型和 N型，而 N 型晶硅太陽能干電池更利于于干電池變換功效的進(jìn)一步?jīng)_破。

與摻硼(B)的 P 型晶體硅資料比擬， 摻磷(P)的 N型晶體硅資料具備四個上風(fēng)：

1）N 型晶硅資料的少子空穴復(fù)合要遠(yuǎn)低于 P 型，主假如由于 N 型資料中雜質(zhì)對少子空穴的捕獲本領(lǐng)和其少子空穴的外表復(fù)合速度均較低。

2）溝通非金屬傳染的情況下，具有較高非金屬傳染忍耐度的 N型硅片的少 子壽命要明顯高于 P 型硅片。

3）摻磷的 N型晶體硅簡直不生存光致衰減效力，其極低的硼含量取消了硼氧對的感化，也就制止了 P 型摻硼晶硅干電池在普照下會爆發(fā)鮮明的電本能衰減的題目。

4）N 型硅片的少量載流子（空穴）壽命善于 P 型硅片，故 N 型干電池 較 P 型干電池具備更高的變換功效的后勁。

縱然 P 型硅片也可運(yùn)用于 TOPCon、IBC 本領(lǐng)，但這兩類本領(lǐng)對于 P 型硅片的品質(zhì)訴求極高，行行業(yè)內(nèi)部現(xiàn)有的硅片生產(chǎn)能力里供給比率較低，所以僅有極少量頭部廠商不妨經(jīng)過自己的硅片范圍、品質(zhì)上風(fēng)采用鑒于 P 型硅片的新本領(lǐng)道路。

因?yàn)闀簳r行行業(yè)內(nèi)部 N 型硅片價(jià)錢更高，以是這種高效太陽能干電池本領(lǐng)道路具有更好的性價(jià)比，但因?yàn)楸绢I(lǐng)及硅片品質(zhì)壁壘的控制，估計(jì)較難以變成行業(yè)各家企業(yè)一致采用的本領(lǐng)道路。。

暫時 N 型干電池大約率變成將來高變換功效的目標(biāo)，暫時囊括 PERT、 TOPCon（隧穿氧化鈍化交戰(zhàn)）、IBC（全背電極交戰(zhàn)）、HJT（異質(zhì)結(jié)）四種本領(lǐng)路途。

在 N 型干電池本領(lǐng)中，PERT 已被表明不完備財(cái)經(jīng)性，IBC 量 產(chǎn)難度大且擺設(shè)入股較高，所以暫時商場上合流的下一代本領(lǐng)是 TOPCon 和 HJT 本領(lǐng)。

2、TOPCon：現(xiàn)有產(chǎn)線兼容+極限功效高，PERC 晉級首要選擇 2.1 構(gòu)造更具上風(fēng)，功效提高鮮明

TOPCon 干電池本領(lǐng)具有的隧穿氧化層鈍化交戰(zhàn)（Tunnel Oxide Passivated Contact）鑒于采用性載流子道理。

TOPCon 本領(lǐng)構(gòu)造下的干電池以 N 型硅襯底，背后掩蓋了一層堆積在超薄隧穿氧化硅層上的摻雜多晶硅薄層，產(chǎn)生了較好的鈍化交戰(zhàn)構(gòu)造。

該構(gòu)造為硅片背后制造了一個杰出的界面鈍化，個中的超薄氧化層不妨遏制少子空穴復(fù)合，使多子電子隧穿加入多晶硅層，激動電子在多晶硅層橫向傳輸時被非金屬搜集，進(jìn)而靈驗(yàn)地貶低了外表復(fù)合和非金屬交戰(zhàn)復(fù)合，普及開路電壓和彌補(bǔ)因子，普及光電變換功效。

TOPCon 工藝的超過要害在乎制備隧穿氧化層和高摻雜的多晶硅薄層 ：

按照中國科學(xué)院微電子接洽所數(shù)據(jù)表露，氧化層對于干電池的要害性在對開路電壓和復(fù)合速度的感化中極為鮮明。在無隧穿氧化層（tunnel oxide layer）/多 晶硅薄層（ +Poly-Si layer）的情景下，開路電壓有所貶低，同聲復(fù)合速度趕快提高，由此引導(dǎo)變換功效大幅度低沉。

按照德國太陽能接洽所 ISFH 試驗(yàn)室得出的論斷，雙面鈍化的 TOPCon 的極限功效不妨到達(dá) 28.7%，高 于 PERC 和 HJT，且最逼近晶體硅太陽能干電池表面極限功效 29.43%。

2.2 工藝辦法與 PERC 相配合、可在原有產(chǎn)線晉級

TOPCon 干電池消費(fèi)工藝不妨最大水平保持和運(yùn)用現(xiàn)有 PERC 干電池?cái)[設(shè)工藝過程。

TOPCon 本領(lǐng)雖為 N 型本領(lǐng)，但與 P 型 PERC 本領(lǐng)的中心實(shí)質(zhì)均是背后鈍化交戰(zhàn)本領(lǐng)，所以中心擺設(shè)只需減少硼擴(kuò)和地膜堆積擺設(shè)（PECVD/LPCVD/PVD），極大的貶低了新增擺設(shè)的入股本錢，同聲簡單實(shí)行量產(chǎn)化。

按照擺設(shè)公司拉普拉斯的調(diào)查研究拜訪，市情上的 TOPCon 本領(lǐng)重要有三種道路，囊括了本征+磷擴(kuò)、原位摻雜、離子注入（徑直摻雜）本領(lǐng)，暫時可采用的路途較多，每一種路途都有不錯的展現(xiàn)。

1）本征+磷擴(kuò)。

沿用 LPCVD 制備多晶硅薄層并貫串保守的全分散工藝。須要較 PERC 減少 LPCVD、分散爐、刻蝕擺設(shè)，工藝便宜是老練且耗費(fèi)時間短（從硅片加入爐管到降溫之后出來），消費(fèi)功效高，已實(shí)行范圍化量產(chǎn)，但生存繞鍍和成膜速率慢的題目，暫時 TOPCon 廠商構(gòu)造的合流道路。

2）離子注入（徑直摻雜）。

沿用 LPCVD 制備多晶硅薄層并貫串?dāng)U硼及離子注入磷工藝。須要較 PERC 減少 LPCVD、離子注入機(jī)、退火爐、刻蝕擺設(shè)，本領(lǐng)便宜是無繞鍍危害，且良率更高，不及之處在乎工藝難度大，且須要更多的分散爐和兩倍的 LPCVD。

3）原位摻雜。

沿用 PECVD 制備多晶硅薄層并貫串原位摻雜工藝。須要較 PERC 減少 PECVD、退火爐擺設(shè)。該本領(lǐng)不妨簡化過程、降低成本提效，不只堆積速率快、堆積溫度低，還能用 PECVD 制備多晶硅層。但暫時因氣體爆膜局面而引導(dǎo)的良率較低題目還未能處置，本領(lǐng)寧靜性有待于矯正。

暫時控制 TOPCon 本領(lǐng)進(jìn)一步實(shí)行財(cái)產(chǎn)化的成分重要有兩上面，一是本領(lǐng)難點(diǎn)并沒有實(shí)足克復(fù)且創(chuàng)造工藝攙雜，形成本領(lǐng)道路沒有實(shí)足定型，從而引導(dǎo)良率和產(chǎn)量情景不如 PERC，變換功效后勁并沒有實(shí)足開釋;第二是雙面用銀引導(dǎo)本錢稍高，進(jìn)而貶低了 TOPCon 干電池的性價(jià)比。

2.3 工藝過程對立攙雜、本領(lǐng)道路詳細(xì)定型難度高

本領(lǐng)難點(diǎn)上面，較為攙雜的工藝辦法重要囊括隧穿氧化層的成長辦法；摻雜多晶硅薄層制備辦法；硼擴(kuò)本領(lǐng)采用。

難點(diǎn)一 隧穿氧化層成長辦法：

隧穿氧化層的鈍化交戰(zhàn)提效道理如次圖所示，摻雜的多晶硅薄層和 n 型硅基體在交戰(zhàn)爆發(fā)反遏制層，使準(zhǔn)費(fèi)米能級分割（普及），對空穴產(chǎn)生勢壘，遏制少子空穴進(jìn)一步達(dá)到氧化硅/n 型硅基體的界面，而多子不妨經(jīng)過隧穿道理（承諾一種載流子經(jīng)過，遏止另一種載流子輸運(yùn)）最后遏制了空穴達(dá)到非金屬半半導(dǎo)體交戰(zhàn)的界面舉行復(fù)合。

這種載流子采用性交戰(zhàn)構(gòu)造靈驗(yàn)處置了晶硅太陽能干電池外表鈍化和交戰(zhàn)的沖突，使干電池的變換功效有大幅提高。所以隧穿氧化層的成長辦法和厚薄遏制對于普及鈍化功效極為要害。

制備隧穿氧化層時怎樣遏制氧化層的品質(zhì)、厚薄、和平均性是一個本領(lǐng)性困難，當(dāng)厚薄大于 2nm 時，位壘太高，隧穿將難以實(shí)行，所以量產(chǎn)的氧化層厚薄普遍都1.4-1.6nm。暫時制備隧穿氧化層的本領(lǐng)百般化，百般本領(lǐng)道路優(yōu)缺陷鮮明，尚需功夫檢查。

難點(diǎn)二 摻雜多晶硅薄層制備辦法：

對于摻雜多晶硅薄層的制備，暫時商場中重要有三種制備辦法，辨別為 LPCVD(工業(yè)氣壓化學(xué)氣相堆積法)，管式 PECVD(等離子體增加強(qiáng)學(xué)氣相堆積法）及板式 PECVD。

其余再有 PVD （物理氣相堆積）、PEALD（等離子體體鞏固亞原子層堆積）、APCVD（常壓 化學(xué)氣相堆積）法，但未實(shí)行貿(mào)易化運(yùn)用。

暫時貿(mào)易化過程最老練的是 LPCVD 制備摻雜多晶硅薄層，PECVD 則是新本領(lǐng)興盛目標(biāo)。

LPCVD 工藝的基礎(chǔ)道理是將制備多晶硅地膜所需的氣態(tài)物資攙和，在較工業(yè)氣壓力下，用熱量激活，使其爆發(fā)熱領(lǐng)會大概化學(xué)反饋，借助氣相效率最后堆積產(chǎn)生多晶硅地膜，在進(jìn)程中堆積溫度、反饋壓力、硅烷流量等堆積參數(shù)會對地膜的品質(zhì)和成長速度爆發(fā)較大的感化，須要較好的參數(shù)遏制。

PECVD 則是在工業(yè)氣壓前提下運(yùn)用輝光尖端放電將反饋氣體水解，產(chǎn)生具備較強(qiáng)活性的離子化的氣體，過程一系列化學(xué)反饋后在基片外表淀積產(chǎn)生寧靜固態(tài)地膜。

在鍍膜工藝進(jìn)程中，硅片因?yàn)槭軣岜l(fā)伸展，不許從來維持與石墨壁貼合狀況，此時反饋氣體須要堆積的目的膜層會由于硅片受熱伸展的啟事堆積在硅片與石墨壁之間的裂縫之間，那些特殊堆積的膜層重要散布在與目的堆積面包車型的士相當(dāng)面的邊際場所，引導(dǎo)下一歲序?qū)杵聿糠皱兡r展示局部硅片邊際較厚的情景，這種局面稱為繞鍍。

繞鍍題目在 LPCVD 鍍膜工藝中尤為重要，即使繞鍍不許實(shí)足去除，則會展示表面良率低、泄電比率高、本能貶低等題目。

暫時 LPCVD 擺設(shè)制備摻雜多晶硅薄層是行業(yè)里最老練的道路，LPCVD 裝片多、產(chǎn)量大，然而生存繞鍍表面積大、摻雜功夫長、平均性差、石英件耗費(fèi)大、鍍厚膜簡單爆膜的缺陷。

PECVD擺設(shè)不妨制止爆發(fā)繞鍍的題目，然而產(chǎn)量小、保護(hù)本錢高，平均性和功效略差。所以，對于鍍膜擺設(shè)的采用的不決定性也是引導(dǎo) TOPCon 良率較低的要害因?yàn)橹弧?

難點(diǎn)三 硼分散：

在 N 型干電池所有工藝過程中，PN 結(jié)制備的品質(zhì)是確定干電池功效的要害辦法。工業(yè)氣壓管式 BBr3、BCI3 分散、旋涂硼源+分散、常壓管 式 BBr3 分散、離子注入+退火是暫時重要的四種 N 型的 PN 結(jié)制備本領(lǐng)。

按照拉普拉斯統(tǒng)計(jì)，工業(yè)氣壓管式 BBr3 在擺設(shè)商場上的占領(lǐng)率較高，更加是在光伏范圍。硼分散的難點(diǎn)在乎硼和硅之間融化度的較大分別引導(dǎo)分散速度較低；對分散溫度的訴求較高，須要到達(dá)10000；平均性不好遏制。

2.4 較 PERC 本錢稍高，但降低成本路途明顯

本錢較高展現(xiàn)在：與 PERC 比擬，TOPCon 的較高的本錢重要來自于非硅本錢上面，暫時較 PERC 每 W 高出 0.08-0.09 元。

個中漿料是個中本錢最高的步驟，TOPCon 暫時用量 150-180mg，比較之下 PERC 用量僅有 70mg 安排。其余，TOPCon 與 PERC 在良率上的差異也引導(dǎo)了單元本錢的飛騰。

按照調(diào)查研究，TOPCon 暫時量產(chǎn)的良率在 93%-95%，而 PERC 的良率到達(dá)了 98%。本領(lǐng)工藝道路的不決定以及要害步驟的少許工藝難點(diǎn)尚未被克復(fù)是 TOPCon 良率較低的重要因?yàn)椤?/p>

TOPCon 銀耗較高的因?yàn)樵诤蹼p面運(yùn)用銀漿。

晶硅干電池由光伏本領(lǐng)道理的各別，可分為 P 型和 N 型。

P 型晶硅干電池是由摻硼 P 型硅基體摻雜磷元素產(chǎn)生 N 型放射極實(shí)行 PN 結(jié)，而 N 型晶硅干電池由摻磷 N 型硅基體摻雜硼元素產(chǎn)生 P 型放射極實(shí)行 PN 結(jié)。

這會讓 P 型和 N型的非金屬化歐姆交戰(zhàn)道理與處事體制有所辨別。N 型比擬于 P 型，放射極上須要更多的銀漿本領(lǐng)到達(dá)可量產(chǎn)的電學(xué)本能；N 型晶硅干電池雙面率高，背后經(jīng)過銀漿絲網(wǎng)印 刷實(shí)行的電極構(gòu)造一致于 P 型晶硅干電池的反面電極構(gòu)造，那些都使得 N 型 干電池對反面銀漿單元耗費(fèi)更高。

N 型銀漿用量及本錢生存鮮明的低沉空間，重要實(shí)行本領(lǐng)囊括：

多主柵本領(lǐng)的運(yùn)用，銀漿的用量不妨獲得最大水平的儉樸；銀鋁漿的運(yùn)用不妨激動銀漿本錢低沉；暫時 TOPCon 銀漿國產(chǎn)化率較低，跟著海內(nèi)漿料企業(yè)的研制和超過，國產(chǎn) TOPCon 銀漿浸透率的提高無助于于貶低本錢。

除去在銀漿上面有低沉空間外，硅片裂片化和巨型化、擺設(shè)生產(chǎn)能力的提高（比方雙面、三合一鍍膜擺設(shè)）、良率的提高（攤薄本錢）和變換功效的普及（最后貶低 LCOE）都是 TOPCon 本錢低沉的可行性路途。

暫時 TOPCon 單 GW 擺設(shè)入股額為 2 億元，PERC 產(chǎn)線晉級為 TOPCon 產(chǎn)線單 GW 擺設(shè)入股額為 0.5-0.8 億元，跟著降低成本道路的連接促成，TOPCon 將會極具性價(jià)比。

2.5 良率與功效有待于進(jìn)一步提高

暫時 TOPCon 財(cái)產(chǎn)化過程連接提速，變換功效記載連接革新。2021 年 6 月 1 日，過程德國哈梅林太陽能接洽所（ISFH）認(rèn)證，隆基在 N 型 TOPCon 的變換功效到達(dá)了 25.21%；2021 年 10 月 13 日，晶科動力 N型 TOPCon 干電池功效到達(dá) 25.4%，再次沖破寰球記錄。

財(cái)產(chǎn)化上面，因?yàn)?TOPCon 本領(lǐng)與 PERC 本領(lǐng)的工藝兼容度較高，所以更受保守干電池廠商的喜愛。2019 年后新增 PERC 生產(chǎn)能力基礎(chǔ)都做出 TOPCon 本領(lǐng)晉級的預(yù)留空間。然而按照局部光伏干電池企業(yè)、一體化企業(yè) 2021 年中報(bào)的表露消息，暫時本質(zhì)落地的生產(chǎn)能力較少，生產(chǎn)能力提高仍舊須要本領(lǐng)道路的進(jìn)一步精確。

量產(chǎn)功效上面，TOPCon 較 PERC 未有明顯上風(fēng)。按照 PV Infolink 統(tǒng)計(jì)，暫時 TOPCon 合流干電池量產(chǎn)功效約 23.7-24.0%。2021 年 8 月，天合的 210mm PERC 干電池量產(chǎn)功效到達(dá) 23.56%，且還未到變換功效極限，TOPCon 與 PERC 本質(zhì)量產(chǎn)功效仍未拉開較大隔絕。

3、HJT：工藝辦法簡略+功效高，備受財(cái)產(chǎn)喜愛 3.1 構(gòu)造上兼具晶硅與地膜干電池上風(fēng)

異質(zhì)結(jié)（Heterojunction with Intrinsic Thin-layer = HJT）是一種高效晶硅太陽能干電池構(gòu)造,由 N 型晶體硅基板和非晶硅地膜攙和制成，構(gòu)造如圖 34 所示，在背后順序?yàn)橥鲗?dǎo)熱氧化學(xué)物理膜（TCO）、P 型非晶硅地膜，和氫化非晶硅地膜；在干電池反面順序?yàn)?TCO 通明導(dǎo)熱氧化學(xué)物理膜，N 型非晶硅地膜和本征非晶硅膜。

成績于非晶硅地膜的引入，異質(zhì)結(jié)太陽能干電池兼具晶硅與地膜太陽能上風(fēng)，外表鈍化功效更好，其晶硅襯底的前后外表均實(shí)行了杰出的鈍化，而且中斷了非金屬電極和硅資料的徑直交戰(zhàn)，進(jìn)一步貶低了載流子復(fù)合丟失，提高了干電池變化功效。

德國哈梅林太陽能接洽所表面模仿計(jì)劃截止表露，雙面實(shí)足鈍化的 TOPCon 的表面極限功效略高于 HJT，然而因?yàn)楣に囘^程上比擬攙雜、本領(lǐng)道路采用性較多，暫時 TOPCon 產(chǎn)線上導(dǎo)出的都是單面鈍化本領(lǐng)，良率上僅有 93%安排，且變換功效暫時稍低于 HJT。

固然 HJT 本領(lǐng)的工藝難度較高，然而因?yàn)楣に囖k法的簡化，良率暫時在 98%安排（RPD 鍍膜良率 93%安排），更符合大范圍量產(chǎn)。且因?yàn)樯虉鲫P(guān)心度較高，所以財(cái)產(chǎn)化過程速率快。

HJT 更適合硅片裂片化趨向。

PERC 干電池工藝中，所用的硅片合流厚薄為 170μm-180μm，進(jìn)一步減薄后對于干電池和組件的工藝均會產(chǎn)生挑撥，且惹起變換功效的低沉，以至爆發(fā)重要的翹曲、作廢局面。

因?yàn)?HJT 干電池構(gòu)造對稱、且沿用低溫工藝過程，所以硅片不簡單翹曲，硅片更簡單適合薄 片化降低成本趨向。HJT 在硅片變薄的情景下，開路電壓（）飛騰，短路交流電（）低沉，彌補(bǔ)因子（）基礎(chǔ)寧靜，所以變換功效基礎(chǔ)不妨維持靜止。

HJT 可實(shí)行向下一代高效干電池本領(lǐng)的過度。HJT 干電池更簡單實(shí)行與一代本領(lǐng)的融洽。暫時貫串 IBC 構(gòu)造的 HBC 干電池已實(shí)行試驗(yàn)室 26.63%的變換功效，與鈣鈦礦構(gòu)成的疊層干電池變換功效希望提高至 30%之上。

HJT 具備崇高的干電池個性。

與 PERC 干電池比擬，HJT 干電池生存衰減率低、溫升系數(shù)低、雙面率高、弱光效力好的個性。

3.2 工藝辦法簡略、量產(chǎn)化道路明顯

HJT 工藝辦法簡略：比擬于 PERC 與 TOPCon，HJT 干電池的工藝過程簡略，僅需四步便可實(shí)行，所以良率大大普及，也更適合大范圍量產(chǎn)趨向，暫時財(cái)產(chǎn)中 HJT 量產(chǎn)功效高達(dá) 98%，在良率上與 PERC 出入無幾，遠(yuǎn)勝似 TOPCon。

蕩滌制絨：HJT 工藝的重要辦法為制絨蕩滌，純潔的硅片外表和有理的織構(gòu)化處置利于于贏得高。制絨蕩滌工藝的重要手段為運(yùn)用制備的絨面爆發(fā)陷光局面，縮小光的曲射率、減少光接收、最后提高光電變換功效。

重要辦法囊括：運(yùn)用 KOH 溶液對 N 型硅片舉行各向異性侵蝕，產(chǎn)生絨面構(gòu)造，進(jìn)而貶低外表曲射率、爆發(fā)更多載流子；產(chǎn)生純潔硅片外表，去除無機(jī)物和非金屬雜質(zhì)（SC1、CP、SC2、DHF），進(jìn)而制止不純潔引進(jìn)的缺點(diǎn)和雜質(zhì)而帶來的結(jié)界面處載流子的復(fù)合。

蕩滌制絨步驟重要囊括 RCA 與 O3 兩種本領(lǐng)道路，暫時多沿用二者貫串的辦法。

RCA 蕩滌常常是運(yùn)用堿性侵蝕液對硅片舉行各向異性侵蝕。這種本領(lǐng)處置之后，硅片的界面非金屬雜質(zhì)較低。但氫氧化銨會引導(dǎo)硅片外表較為精細(xì)，同聲化學(xué)品耗量較大，廢液處置本錢較高。

行行業(yè)內(nèi)部仍舊發(fā)端運(yùn)用臭氧超純水來包辦 RCA ，臭氧的氧化恢復(fù)功效高于 H2O2，在靈驗(yàn)去除非金屬、顆粒和無機(jī)物的同聲，不會減少外表微精細(xì)度。臭氧蕩滌既能滿意工藝需要的同聲，又不妨貶低化學(xué)品耗量及運(yùn)轉(zhuǎn)本錢量，貶低廢液處置本錢，更有興盛遠(yuǎn)景。

非晶硅堆積：非晶硅地膜堆積為中心工藝，暫時運(yùn)用 PECVD 堆積非晶硅地膜是商場合流。因?yàn)?P-N 異質(zhì)結(jié)制備的位臵是在 N 型晶硅襯底外表，且堆積層感化到鈍化的功效，所以確定了 HJT 的干電池本能。

暫時商場上 常用的 RF（發(fā)射電波頻率） -PECVD 鍍膜擺設(shè)，頻次重要分為 13.56MHz 和 40.68MHz。個中 40.68MHz 居于甚高常常段（VHF：30-300MHz）。處事頻次是 PECVD 工藝的要害目標(biāo)之一，其對地膜堆積速度和品質(zhì)等都有感化：

經(jīng)過安排交流電頻次的巨細(xì)，遏制天生等離子體體的數(shù)目，不妨起到遏制地膜堆積速度的效率。處事頻次越高，等離子體體的離化度越高，離子轟擊效力更鮮明，地膜堆積速率更快。

基板在 PECVD 擺設(shè)中，邊際局部的磁場較重心地區(qū)弱，會感化局域的組分堆積速度。比擬廣播段處事，高頻時兩個地區(qū)磁場強(qiáng)度分辨較小，堆積速度分辨較小，地膜平均性就更好。

處事頻次高，等離子體體帶領(lǐng)的電能減少，轟擊效率強(qiáng)，達(dá)到基板的速率較大，易形成較大傷害，對其壽命爆發(fā)感化。

VHF-PECVD 因?yàn)殡娫搭l次高，地膜堆積品質(zhì)高，更利于成長微晶硅。微晶硅是一種晶粒巨細(xì)為忽米數(shù)目級的介于單晶硅和多晶硅之間的資料。鍍微晶的長處表此刻：

微晶硅具備更好的構(gòu)造程序性，使得載流子遷徙率較高，利于于電極對光生電子、空穴的搜集，大大普及微晶硅資料的電導(dǎo)率。

非晶硅地膜在受長功夫普照后本能會有所低沉，即 S-W 效力。而微晶硅中因?yàn)榫Я６际墙Y(jié)晶狀況，具備更好的寧靜性，光致沒落效力簡直不生存。

暫時行行業(yè)內(nèi)部多沿用分層鍍膜工藝舉行提效。對于異質(zhì)結(jié)干電池，要想普及變換功效，就要提高非晶硅地膜的鈍化功效，而雜質(zhì)過多，會對鈍化功效爆發(fā)反面感化。

保守的分層鍍膜工藝沿用 IN-IP 程序，即在硅片反面順序堆積本征（i）和 N 型非晶硅地膜，再在背后以此堆積本征（i）和 P 型非晶硅地膜。

暫時基礎(chǔ)沿用 IINP 制造過程工藝，普及功效 0.15%安排。p 型硅中的硼在鍍膜后殘留在腔體或托盤外表，會感化本征層的鈍化功效。所以將非晶 p 晶歲序獨(dú)力，不妨靈驗(yàn)縮小硼分散，普及干電池功效。

TCO 鍍膜： HJT 相較于晶體硅太陽能干電池最超過的特性即是須要制備 TCO 地膜。制備 TCO 膜的本領(lǐng)有兩種，保守的 PVD 本領(lǐng)是應(yīng)用 SPUTTER 磁控濺射，運(yùn)用 ITO（氧化銦錫）靶材；RPD 本領(lǐng)則是運(yùn)用一定的磁場爆發(fā)寧靜、平均、高密度的等離子體體，運(yùn)用 IWO（氧化銦摻鎢）靶材。不足 TCO 地膜的氫化非晶硅地膜的導(dǎo)熱性較弱。

TCO 地膜不妨搜集光生載流子并將其輸送非金屬電極上，具備杰出導(dǎo)熱性。同聲，TCO 地膜 還需完備減曲射的功效以保護(hù)干電池具有較低的外表光曲射丟失，具備高透過率。

普遍的導(dǎo)熱資料大概通明氧化學(xué)物理只能滿意強(qiáng)導(dǎo)熱性和高透過率的一種，而 TCO 卻能統(tǒng)籌這兩個功效，是一種理念資料。

暫時合流本領(lǐng)道路是用 PVD 的辦法制備前后外表的 TCO 膜，重要擺設(shè)供給商有梅耶博格、馮阿登納、Singulus、邁為股子等。

RPD 本領(lǐng)創(chuàng)造出來的 TCO 膜功效較高，然而暫時有諸多難點(diǎn)：從靶材濺射出的離子呈球狀散布，為了平均鍍膜，須要多靶同聲濺射，還須要在硅片與濺射源之間設(shè)臵勻流板，大幅控制了鍍膜的生產(chǎn)能力。

靶材運(yùn)用率低，且供給商較少。

RPD 自下往上鍍膜，須要沿用兩臺擺設(shè)舉行鍍膜，感化生產(chǎn)能力。受制于阿曼住友專利本領(lǐng)，中心元件依附入口,擺設(shè)價(jià)錢較高。RPD 的擺設(shè)供給商僅有 Sumitomo（阿曼住友,專利一切者）和捷佳偉創(chuàng)（贏得專利受權(quán)），沒轍產(chǎn)生靈驗(yàn)比賽。

絲網(wǎng)印刷、固化、嘗試分選：絲網(wǎng)印刷本領(lǐng)是 HJT 干電池電極非金屬化步驟合流工藝，本領(lǐng)老練度較高。暫時 HJT 重要的挑撥是低溫銀漿的本錢較高，規(guī)范了 HJT 本錢的進(jìn)一步低沉。處置計(jì)劃囊括：銀包銅本領(lǐng)與無主柵本領(lǐng)（SmartWire）相貫串等。

Meyer Burger 的 SmartWire 智能網(wǎng)柵本領(lǐng)不妨在保護(hù)絲網(wǎng)印刷功效的基礎(chǔ)下大大貶低本錢。該本領(lǐng)一上面去掉了正背后 5 根主柵，將印刷頭從 4 個 減至 2 個，本錢貶低 200-300 萬元，另一上面徑直沿用非金屬絲貫穿余下的細(xì)柵，儉樸了細(xì)柵銀漿 90-100mg。

暫時，鈞石動力沿用的嶄新的濺射鍍膜辦法貫串網(wǎng)版安排和新式漿料開拓，采用部分用銀部分用銅的辦法，單片銀漿耗量低沉 50%，使 G1 硅片創(chuàng)造的異質(zhì)結(jié)干電池銀漿單位產(chǎn)品物資實(shí)際消耗量從 150mg 大幅降至 80mg。

跟著 HJT 財(cái)產(chǎn)化過程的加快，銀漿本錢與用量低沉速率希望超預(yù)期。

3.3 擺設(shè)與耗材國產(chǎn)代替快、后續(xù)降低成本增效空間大

跟據(jù)估測計(jì)算，暫時 HJT 的單瓦消費(fèi)本錢比 PERC 高出 0.2 元，主假如在非硅本錢上的分別。在暫時功夫點(diǎn)，異質(zhì)結(jié)本領(lǐng)的降低成本道路較為明顯，重要有兩條路途：一是原資料端的徑直降低成本。

重要經(jīng)過硅片裂片化（厚薄低于 120um）、銀包銅本領(lǐng)的導(dǎo)出（銀含量低于 45%）、切片良率的普及（大于 95%）、低溫銀漿的國產(chǎn)化、擺設(shè)入股（低沉到 3.5 億元/GW 以次）的低沉實(shí)行。

二是功效的提高，帶來更好的火力發(fā)電量增值價(jià)格、進(jìn)而帶來更鮮明的矯正本錢上風(fēng)。重要不妨經(jīng)過微晶硅本領(lǐng)的導(dǎo)出、退火吸雜本領(lǐng)的運(yùn)用、工藝與靶材的優(yōu)化等本領(lǐng)實(shí)行。

HJT 降低成本線路之一，微晶硅本領(lǐng)：運(yùn)用摻雜微晶硅代替暫時的摻雜非晶硅是 HJT 太陽能干電池功效的要害提高目標(biāo)，不妨進(jìn)一步普及摻雜濃淡、減少透光本能，同聲減低摻雜層的電阻，并最后增大 HJT 干電池的交流電密度。

微晶硅地膜由納米級的晶硅顆粒鑲嵌在非晶硅地膜構(gòu)成，是介于非晶硅和單晶硅之間的攙和相無序半半導(dǎo)體資料。

微晶硅地膜干電池同聲完備非晶硅和單晶硅的便宜：

微晶硅地膜干電池創(chuàng)造本錢低。

構(gòu)造程序性使載流子遷徙率高，電導(dǎo)率、接收系數(shù)高，簡直沒有沒落效力。

簡單量產(chǎn)，可大表面積制備。

光電變換功效高，且在各別的太陽光譜波段與非晶硅產(chǎn)生互補(bǔ)。

微晶硅中文大學(xué)局部顆粒巨細(xì)在忽米量級，本質(zhì)上即是精致顆粒多晶硅。

普遍覺得，多晶硅的晶粒尺寸在 100um 之上時具備崇高的本能和高變化功效，但大晶粒、高品質(zhì)的多晶硅地膜消費(fèi)工藝攙雜。微晶硅晶粒尺寸固然較小，但制備多在T<600℃下舉行，易實(shí)行對微晶硅地膜中氧亞原子的鈍化和晶界的鈍化，所以低溫工藝制備的微晶硅地膜太陽干電池具備較為可觀的變化功效。

HJT 降低成本線路之二，退火吸雜：晶硅太陽干電池在創(chuàng)造進(jìn)程易受非金屬雜質(zhì)的沾污，非金屬在硅中是深能級，復(fù)合活性大，加快載流子的復(fù)合，深能級的非金屬雜質(zhì)重要感化硅片的少子壽命，對提高干電池的變換功效倒霉，所以雜質(zhì)的去除對于功效的提高尤為要害。

吸雜是將非金屬雜質(zhì)從器件有源區(qū)變化到硅片預(yù)安排地區(qū)大概將其揮發(fā)。吸雜本領(lǐng)的三個物理進(jìn)程：1）雜質(zhì)的開釋；2）雜質(zhì)向俘獲區(qū)分散；3）雜質(zhì)在缺點(diǎn)重心被俘獲。

暫時沿用的吸雜本領(lǐng)可分為：內(nèi)吸雜、外吸雜、化學(xué)吸雜。

個中內(nèi)吸雜是運(yùn)用符合的熱處置工藝辦法，經(jīng)過遏制硅片的氧濃淡及氧積淀在硅片里面產(chǎn)生靈驗(yàn)的吸雜點(diǎn)，進(jìn)而到達(dá)去除雜質(zhì)的手段。內(nèi)吸雜的熱處置工藝普遍沿用高溫-低溫-高溫三步式退火，可與原有器件工藝相貫串，具備更普遍的運(yùn)用遠(yuǎn)景。

跟著 HJT 干電池被普遍接收和量產(chǎn)，退火吸雜將變成 HJT 干電池消費(fèi)的必備歲序。

HJT 降低成本線路之三，銀包銅： HJT 銀漿占干電池非硅局部勝過 50%，沿用銀包銅漿料是在非金屬化層面貶低異質(zhì)結(jié)本錢的道路之一。

銀包銅粉即在銅粉外表包覆一層非金屬銀，贏得具有核-殼構(gòu)造。銀包銅與純銀比擬，消費(fèi)成 本明顯低沉，同聲又完備熱寧靜性、高導(dǎo)熱性、抗氧化、抗遷徙等上風(fēng)，實(shí)行高本能低本錢，可用來局部以至十足代替純銀或純銅。

2008 年安排,泰西及阿曼發(fā)端對銀包銅粉舉行開拓和商場化消費(fèi),而我國在這上面的接洽從來居于前期階段。此刻國際上消費(fèi)銀包銅粉的重要有美利堅(jiān)合眾國 SCM、德國 Ecka、比利時 Nano 以及阿曼 Fukuda 等企業(yè)，且產(chǎn)品德量較海內(nèi)更好，品種更多。

暫時低溫銀漿國產(chǎn)化過程正在加快舉行中，華晟、邁為等多個企業(yè)都將在本年將銀包銅本領(lǐng)運(yùn)用于 HJT 干電池量年中，估計(jì)華夏將在本年實(shí)行銀包銅漿料的國產(chǎn)化，正式發(fā)端 HJT 本領(lǐng)的低本錢期間。

3.4 生產(chǎn)能力籌備有待于進(jìn)一步落地

2021 年此后 HJT 生產(chǎn)能力構(gòu)造較多，但本質(zhì)性落土地資產(chǎn)能較少。截止 2021 年 8 月，HJT 年內(nèi)精確籌備生產(chǎn)能力已超 50GW。然而因?yàn)閿[設(shè)入股較高、非硅本錢難以趕快低沉的題目，本質(zhì)落土地資產(chǎn)能較少，2020 年終于今，重要 HJT 產(chǎn)線招標(biāo)僅有 11GW。

跟著微晶硅本領(lǐng)的導(dǎo)出和老練、新式非金屬化等本領(lǐng)的浸透，HJT 在本錢端及功效端均希望獲得進(jìn)一步優(yōu)化，2023 年及之后 HJT 本領(lǐng)希望迎來生產(chǎn)能力落地的暴發(fā)期。

4、將來已來，靜候 N 型量產(chǎn)喜訊 2021 年年內(nèi) N 型 TOPCon 與 HJT 本領(lǐng)功效連接博得沖破，量產(chǎn)功效與試驗(yàn)室功效實(shí)行“雙著花”，進(jìn)一步拉大與單晶 PERC 干電池的功效差。

暫時 N 型 TOPCon 與 HJT 本領(lǐng)的平衡變換功效仍舊與 PERC 有 1.5%安排的的分別。

暫時各大擺設(shè)商簡直都已入局 N 型關(guān)系擺設(shè)的研制、消費(fèi)，發(fā)達(dá)比擬快的企業(yè)囊括邁為股子、捷佳偉創(chuàng)、拉普拉斯、金辰股子等，將來倡導(dǎo)關(guān)心關(guān)系量產(chǎn)訂單落地及實(shí)證運(yùn)轉(zhuǎn)數(shù)據(jù)的考證。

咱們鑒于如次假如，對新式干電池本領(lǐng)擺設(shè)商場空間舉行了估測計(jì)算，按照陰謀 2021-2023 年 TOPCon、HJT 商場空間希望辨別到達(dá) 220/221 億元。

1、光伏裝機(jī)與組件的容配比為 1：1.2；組件與干電池生產(chǎn)能力 1:1 對應(yīng)；

2、2021 年寰球光伏干電池生產(chǎn)能力運(yùn)用率為 65%，與 2020 年保持平衡；

3、2019 年后新增 PERC 生產(chǎn)能力均有 TOPCon 晉級空間。

按照公然消息表露，年內(nèi)暫時已有多個 N 型組件招標(biāo)名目。

比較有理價(jià)差的估測計(jì)算截止，N 型組件浸透率進(jìn)一步提高仍需進(jìn)一步降低成本增效，在拉開與 P 型組件的功率差的同聲，進(jìn)一步在價(jià)錢上有所低沉。

經(jīng)過 2021 年 SNEC 展會上對于商場上重要組件廠商品展覽出組件的統(tǒng)計(jì)，不妨看到 N 型組件的到來仍舊加入倒計(jì)時。咱們估計(jì) 2022 年中，商場上不妨連接看到 N性組件的范圍出貨及運(yùn)用。

5、關(guān)系目標(biāo)1）在新式干電池本領(lǐng)范圍研制及量產(chǎn)構(gòu)造超過的一體化組件龍頭：隆基股子、晶科動力，晶澳高科技、天合光能（二者均希望在年內(nèi)舉行新式高效干電池生產(chǎn)能力樹立）。

2）?？苹呻姵貜S商：通威股子、愛旭股子（ABC 本領(lǐng)門坎高，生產(chǎn)能力構(gòu)造大），中來股子（TOPCon 量產(chǎn)功效達(dá) 24.5%，變換功效及生產(chǎn)能力籌備行業(yè)超過），鈞達(dá)股子。

3）受益于 N 型本領(lǐng)變化的擺設(shè)公司：邁為股子、金辰股子、捷佳偉創(chuàng)、奧特維（串焊機(jī)已貯存 TOPCon 與 HJT 本領(lǐng)工藝，已辨別導(dǎo)出晶科、華晟），拉普拉斯（TOPCon 中心擺設(shè) LPCVD 行業(yè)最大供給商），帝爾激光（激光本領(lǐng)行業(yè)超過，同聲開拓出激光轉(zhuǎn)印本領(lǐng)），京山輕機(jī)（與金石動力強(qiáng)強(qiáng)協(xié)作，加碼異質(zhì)結(jié)干電池?cái)[設(shè)）。

4）新式本領(lǐng)產(chǎn)線進(jìn)度及生產(chǎn)能力范圍超過的新加入者：華晟新動力（已有三期 HJT 生產(chǎn)能力構(gòu)造，生產(chǎn)能力范圍及量產(chǎn)功效行業(yè)超過），金剛玻璃（暫時產(chǎn)線仍舊發(fā)端流片，功效、本錢參數(shù)具備莫大參考價(jià)格）。

隆基股子：

光伏一體化龍頭：公司是海內(nèi)硅片及組件雙龍頭，2020年寰球組件出貨量排行第一。

公司有研制本領(lǐng)充分的干電池本領(lǐng)共青團(tuán)和少先隊(duì)，而且在 TOPCon、HJT、IBC 等下一代 N 型高效干電池以及鈣鈦礦、疊層等新 100%型干電池等本領(lǐng)上面貯存了洪量研制功效。

過程德國哈梅林太陽能接洽所（ISFH）認(rèn)證，2021 年 6 月 1 日，隆基在 N 型 TOPCon、P 型 TOPCon、N 型 HJT 本領(lǐng)的變換功效辨別到達(dá)了 25.21%、25.02%、25.26%，一舉斬獲三項(xiàng)貿(mào)易化尺寸單晶太陽干電池變換功效寰球記錄。

2021年 10 月，隆基在一周內(nèi)兩次創(chuàng)作 M6 全尺寸的 HJT 變換功效記載，辨別為 25.82%、26.30%，同聲 26.30%也是暫時為止寰球晶硅 FBC 構(gòu)造干電池的最高功效。

硅片上風(fēng)外溢，新本領(lǐng)希望實(shí)行差變化低本錢比賽：

公司在干電池新本領(lǐng)研制構(gòu)造的廣度和深度行業(yè)超過，除屢次革新 TOPCon、HJT 等各條高效本領(lǐng)道路的研制功效記錄外，公司或依附自己硅片本領(lǐng)上風(fēng)，實(shí)行越發(fā)差變化、更具性價(jià)比的高效干電池本領(lǐng)量產(chǎn)。

晶科動力

前瞻構(gòu)造 N 型 TOPCon 干電池，變換功效冠領(lǐng)行業(yè)。近幾年公司連接加大對 N 型產(chǎn)物的研制加入，屢次革新 TOPCon 干電池功效寰球記錄。2021年 10 月公司公布 182 尺寸 N 型單晶 TOPCon 干電池變換功效到達(dá) 25.4%，再次登上頂峰變換功效寰球榜首。

按照募股書，公司 2020 年終 TOPCon 干電池生產(chǎn)能力到達(dá) 0.8GW，量產(chǎn)平衡變換功效到達(dá) 24.2%，消費(fèi)良率仍舊逼近 PERC 干電池，在行業(yè)內(nèi)部居于超過程度。

2022年 1 月合肥 TOPCon 干電池名目投入生產(chǎn)，搶占 N 型商場先機(jī)。在 0.8GW TOPCon 產(chǎn)線的勝利體味普通上，公司趕快擴(kuò)大產(chǎn)量堅(jiān)韌 N 型本領(lǐng)上風(fēng)。

2021年 9 月 8 日公司合肥 16GW TOPCon 干電池名目正式動工，12 月 10 日托付擺設(shè)進(jìn)場，2022年 1 月 4 日一期 8GW 投入生產(chǎn)，估計(jì) 2022Q2 將到達(dá)滿產(chǎn)；二期 8GW 安置 2022 年上半年投入生產(chǎn)，到年中公司 TOPCon 生產(chǎn)能力將到達(dá) 16.8GW，N 型范圍位居行業(yè)之首。

估計(jì)公司2021-2023E年凈成本辨別為 8.6、26.8、41.4 億元，對應(yīng) EPS 辨別為 0.11、0.34、0.52 元。

通威股子：

一線干電池片廠商、本錢+本領(lǐng)雙上風(fēng)：按照 PV Infolink 統(tǒng)計(jì)，2020 年通威干電池片出貨量排名寰球第一。截止 2020 年終，公司太陽能干電池年生產(chǎn)能力 27.5GW，個中，單晶干電池年生產(chǎn)能力 24.5GW，多晶干電池年生產(chǎn)能力 3GW，干電池片生產(chǎn)能力市占率 13%，處行業(yè)一線程度，估計(jì) 2021 年終公司干電池生產(chǎn)能力范圍勝過 55GW。公司暫時單晶 PERC 干電池產(chǎn)物非硅本錢已到達(dá) 0.2 元/w以內(nèi)，本錢上風(fēng)希望進(jìn)一步提高。

公司暫時加快促成 HJT、TOPCON 等新本領(lǐng)研制過程，2021Q1 通威(合肥)200MWHJT 中間試驗(yàn)線批量消費(fèi)的干電池片以 24.3%的變換功效為主，平衡良率達(dá) 97.84%，單日最高良率達(dá) 98.44%，同聲通威成都 1GW 產(chǎn)線已于 2021 年 7 月尾投入生產(chǎn)。

2021 年 7 月 8 日，通威與江蘇微導(dǎo)于眉山出發(fā)地就 TOPCon 名目關(guān)系協(xié)作的本領(lǐng)實(shí)質(zhì)舉行洽商，在 GW 級 HJT 產(chǎn)線落地的同一功夫段加碼 TOPCon 本領(lǐng)，進(jìn)一步完備干電池本領(lǐng)道路構(gòu)造，提高干電池片步驟的比賽力。

猜測公司 2021-2023E 年凈成本猜測辨別為 83、143、153 億元，對 應(yīng) EPS 辨別為 1.85、3.18、3.39 元。

邁為股子

絲網(wǎng)印刷擺設(shè)領(lǐng)軍者：公司是太陽能干電池絲網(wǎng)印刷擺設(shè)龍頭企業(yè)，2019 年絲網(wǎng)印刷擺設(shè)海內(nèi)市占率達(dá) 78%，國際市占率達(dá) 55%。公司在絲網(wǎng)印刷范圍的上風(fēng)為構(gòu)造 HJT 本領(lǐng)奠定了杰出普通。

HJT 擺設(shè)本領(lǐng)開辟者：公司前瞻性的舉行了 HJT 高效干電池?cái)[設(shè)的構(gòu)造，自決研制消費(fèi) HJT 高效干電池大表面積枯燥式 PECVD 非晶硅鍍膜擺設(shè)， 而且贏得 7 項(xiàng)專利受權(quán)。

其余，邁為在蕩滌制絨步驟引入阿曼 YAC 本領(lǐng)并實(shí)行國產(chǎn)化，進(jìn)一步普及了制絨步驟的本領(lǐng)品質(zhì)。

2020 年 10 月13 號關(guān)系買賣公布表露了向參預(yù)公司江蘇啟威星（公司持有股票 30%）購置蕩滌制絨擺設(shè)，即以協(xié)作的辦法贏得蕩滌制絨擺設(shè)，標(biāo)記著邁為異質(zhì)結(jié)整線正式產(chǎn)生。

2020 年 12 月，邁為共同華晟頒布 SMBB 本領(lǐng)（SuperMBB），經(jīng)過柵 線安排及焊清點(diǎn)的優(yōu)化，實(shí)行 HJT 銀耗進(jìn)一步貶低，大大加速了 HJT 財(cái)產(chǎn)化過程。

自 2019年 1 月啟用 HJT PECVD 及其配系擺設(shè)，邁為先后創(chuàng)辦性地研制了第一代生產(chǎn)能力 200MW、第二代生產(chǎn)能力 400MW 的 PECVD 擺設(shè)，近期貨資金剛玻璃 1.2GW 的異質(zhì)結(jié)產(chǎn)線中，邁為的異質(zhì)結(jié)擺設(shè)生產(chǎn)能力仍舊到達(dá) 600MW。

截止 2021 年 12 月，公司 HJT 高線干電池?cái)[設(shè)存戶涵蓋通威、華晟、阿特斯、金剛玻璃等，年內(nèi)共獲得 6.9 GW HJT 整線擺設(shè)訂單，市占率勝過 70%，居于行業(yè)超過位置。

2022 年 3 月，經(jīng)德國哈梅林太陽能接洽所(ISFH)認(rèn)證，邁為股子共同澳門大學(xué)利亞非金屬化本領(lǐng)公司 SunDrive 運(yùn)用可量產(chǎn)工藝在全尺寸(M6 尺寸，274.3cm2)單晶異質(zhì)結(jié)干電池上變換功效到達(dá) 26.07%，進(jìn)一步考證了異質(zhì)結(jié)干電池量產(chǎn)功效在將來超過 26%大關(guān)的可行性。

按照咱們對公司訂單構(gòu)造及 HJT 財(cái)產(chǎn)化過程的最新確定，猜測公司 2022-2024E 凈成本辨別為 9.00、12.65、18.62 億元，對應(yīng) EPS 辨別 為 8.73、12.27、18.06 元。

金辰股子：

組件擺設(shè)與高效干電池?cái)[設(shè)共同興盛：金辰股子專營交易為光伏組件擺設(shè)，可供給光伏組件“全鏈條”供給本領(lǐng)，掩蓋慣例組件、雙玻組件、半片組件、疊瓦組件等新本領(lǐng)產(chǎn)物典型，寰球市占率達(dá) 35%-40%。

連年來，公司在高效干電池范圍同聲發(fā)力，與中國科學(xué)院寧波資料所發(fā)展深刻協(xié)作，并博得主動功效。TOPCON 用 PECVD 實(shí)行工藝考證，已加入商場拓展階段。暫時公司的 PECVD 擺設(shè)贏得頭部組件廠晶科、晶澳、東方日升的引入。

個中，與晶澳過程一年半的協(xié)作，功效逼近 24%，現(xiàn)已加入中間試驗(yàn)提效階段；與東方日升協(xié)作僅半年，就博得了≥ 24%+的平衡功效。

HJT PECVD 擺設(shè)與德國 H2GEMINI 公司主動協(xié)作，潛心研制運(yùn)用于 HJT 用 PECVD 工藝與擺設(shè)，研制消費(fèi)的 PECVD 擺設(shè)具備生產(chǎn)能力大、本錢低等便宜。

2021 年 6 月尾，首臺由金辰自決研制的 HJT 干電池 PECVD 非晶硅地膜擺設(shè)運(yùn)抵晉能高科技，暫時量產(chǎn)平衡功效已達(dá) 24.38%，最優(yōu)批次功效可達(dá) 24.55%，且功效在多批次干電池片中功效散布平均，展現(xiàn)較為崇高。

與此同聲，公司也在主動貯存雙面微晶 HJT 本領(lǐng)及新式非金屬化本領(lǐng)，2022 年 3 月，公司嶄新的微晶 HJT PECVD 擺設(shè)已發(fā)往晉能嘗試，將來在功效與本錢上希望進(jìn)一步提高比賽力。

捷佳偉創(chuàng)

干電池片擺設(shè)中心供給商：捷佳偉創(chuàng)自創(chuàng)造此后，已為寰球 200 多家光伏干電池消費(fèi)企業(yè)、近 1300 條干電池消費(fèi)線供給擺設(shè)和效勞，依附管式 PECVD 二合一擺設(shè)、堿拋光擺設(shè)的出貨，捷佳偉創(chuàng)已生長為 PERC 擺設(shè)的龍頭，產(chǎn)物掩蓋 PERC 擺設(shè)整線，是寰球超過的晶體硅太陽能干電池?cái)[設(shè)供給商。

TOPCon + HJT 雙構(gòu)造：公司同聲涉足 TOPCon 和 HJT 本領(lǐng)，自決研制的高效蕩滌擺設(shè)（HIT、TOPCON）研制勝利并到達(dá)量產(chǎn)，210 大尺寸絲網(wǎng)印刷整線已研制實(shí)行并出貨一條單軌線。

TOPCon 上面，氣態(tài)源（BCl3）210 硅片硼分散工藝已研制勝利，現(xiàn)居于行業(yè)超過場所； HJT 上面，自決研制的首臺國產(chǎn)大產(chǎn)量 RPD5500A 擺設(shè)和異質(zhì)結(jié)要害擺設(shè)板式/管式 PECVD 先后出廠托付，具有行業(yè)內(nèi)部首條全自決、智能化 的整線消費(fèi)線。

在 HJT 的 TCO 步驟，捷佳同聲構(gòu)造 PVD 及 RPD（具有專利養(yǎng)護(hù)），并革新推出 PAR（PVD and RPD 一體機(jī)）。

由于擺設(shè)道理和靶材道理的上風(fēng)，PAR、RPD 已證明不妨贏得對立于保守 TCO 地膜更高的變換功效與更好的電本能。

2021 年 10 月份，公司 RPD 產(chǎn)物助力隆基，一周兩次創(chuàng)作 25.82%、26.30%兩個寰球記錄，同聲量產(chǎn)功效目標(biāo)居于行業(yè)超過程度。

6、危害提醒 新本領(lǐng)興盛不迭預(yù)期：TOPCon 與 HJT 等新式高效光伏干電池本領(lǐng)難度較大，若行業(yè)內(nèi)涵新本領(lǐng)量產(chǎn)良率、功效等上面不許博得進(jìn)一步?jīng)_破，則會引導(dǎo)新本領(lǐng)興盛不迭預(yù)期。

降低成本速率不迭預(yù)期：暫時 TOPCon 與 HJT 較 PERC 消費(fèi)本錢較高，若降低成本道路遲遲沒轍博得沖破，則會引導(dǎo)新本領(lǐng)在卑劣浸透速率變慢。

量產(chǎn)速率不迭估計(jì)：暫時行行業(yè)內(nèi)部本質(zhì)的 TOPCon 與 HJT 生產(chǎn)能力較小，即使行行業(yè)內(nèi)部新本領(lǐng)生產(chǎn)能力沒有產(chǎn)生范圍，則會引導(dǎo)量產(chǎn)速率不迭預(yù)期。

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