（報(bào)告出品方/作者：萬聯(lián)證券，夏振榮）

高純金屬制備，鍍膜實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電或阻擋功能：靶材是制備功能薄膜的原 材料，以 99.95%以上高純金屬為原料制備，用于面板、半導(dǎo)體、光 伏和磁記錄媒體等領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電或阻擋等功能。其中，半導(dǎo)體領(lǐng)域 對(duì)純度和技藝要求最高，5N5 以上。靶材種類繁多，客戶需求非標(biāo)， 定制屬性明顯。當(dāng)前趨勢(shì)是高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、以及 高純金屬。

中期較高增長(zhǎng)、當(dāng)前景氣上行，國(guó)產(chǎn)替代加速：需求端，我們測(cè)算， 國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)到 2023 年接近 300 億元，面板和半導(dǎo)體領(lǐng)域受益于全 球消費(fèi)增長(zhǎng)和中國(guó)份額提升，市場(chǎng)分別達(dá) 200/50 億元量級(jí)，光伏領(lǐng) 域則隨著 HJT 電池降本應(yīng)用潛在需求可期，3 年總需求 CAGR 達(dá) 9.7% 較快增長(zhǎng)；就目前而言，面板和半導(dǎo)體行業(yè)景氣度周期上行，在線辦 公+5G+傳統(tǒng)汽車消費(fèi)復(fù)蘇等因素持續(xù)發(fā)力，這一趨勢(shì)預(yù)計(jì)未來 1-2 年 可維持，目前相關(guān)靶材企業(yè)開工率接近滿產(chǎn)。供給端，全球市場(chǎng)依然 由霍尼韋爾等企業(yè)寡占，但國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)打通半導(dǎo)體靶材國(guó)產(chǎn)替代 技術(shù)基礎(chǔ)，有研新材、江豐電子進(jìn)入全球主流芯片代工企業(yè)；國(guó)內(nèi)四 五家面板靶材企業(yè)進(jìn)入京東方，國(guó)產(chǎn)替代整體從 1 到 N 呈加速態(tài)勢(shì)。

國(guó)內(nèi)公司著力面板和半導(dǎo)體領(lǐng)域，縱橫向皆有拓展：江豐電子業(yè)務(wù)領(lǐng) 域涉及半導(dǎo)體和平板顯示，投資加碼市場(chǎng)最大平板顯示領(lǐng)域，對(duì)高純 金屬原料也有拓展；阿石創(chuàng)靶材以平板顯示用為主，亦在投資加碼顯 示靶材；有研新材作為國(guó)有企業(yè)，專注半導(dǎo)體靶材及高純金屬原料， 著力攻克國(guó)產(chǎn)替代技術(shù)難題；隆華科技靶材業(yè)務(wù)來自收購(gòu)，目前用于 平板顯示領(lǐng)域。

具中長(zhǎng)期投資機(jī)會(huì)，當(dāng)前蓄勢(shì)待發(fā)：國(guó)產(chǎn)替代已具技術(shù)基礎(chǔ)和商業(yè)條 件，當(dāng)前處于加速狀態(tài)，預(yù)計(jì)至 2023 年國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)規(guī)模 300 億元， 整體保持較高增長(zhǎng)。隨著下游客戶拓展穩(wěn)定和產(chǎn)品成型后研發(fā)支出 預(yù)計(jì)降低，按 20%凈利率可支持千億市值空間，而當(dāng)前江豐電子和有 研新材市值均在一百億元級(jí)別，行業(yè)具備中長(zhǎng)期投資機(jī)會(huì)。就當(dāng)前而 言，板塊股價(jià)受終端的半導(dǎo)體行業(yè)解禁高潮、中美關(guān)系反復(fù)盤整摩擦 等拖累有所調(diào)整，隨著平板和半導(dǎo)體領(lǐng)域景氣度上行，相關(guān)企業(yè)業(yè)績(jī) 成長(zhǎng)性有望逐步釋放，目前正處蓄力待發(fā)狀態(tài)，我們推薦業(yè)務(wù)專注、 技術(shù)和產(chǎn)品獲得充分證明、成長(zhǎng)預(yù)期打開的上市公司。

靶材是在濺射過程中被高速金屬等離子體流轟擊的目標(biāo)材料，是制備功能薄膜的原 材料，又稱“濺射靶材”，純度為99.95%以上，更換不同靶材可得到不同的膜系，實(shí)現(xiàn) 導(dǎo)電或阻擋等功能。當(dāng)前靶材發(fā)展趨勢(shì)是高濺射率、晶粒晶向控制、大尺寸、以及高 純金屬。

分類方面

靶材種類繁多，按材質(zhì)可分為：

金屬靶材，包括鎳鈀、鈦鈀、鋅鈀、鎂靶、鈮靶、錫靶、鋁靶、銦靶、鐵靶、 硅靶、銅靶、鉭靶、銀靶、金靶、鑭靶、鉬靶、釔鈀、鈰靶等。半導(dǎo)體領(lǐng)域， 當(dāng)制程進(jìn)入到180納米后，國(guó)際先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商普遍采用銅互連取代鋁 互連，擴(kuò)散阻擋層材料由鉭取代鈦，傳統(tǒng)鋁靶、鈦鈀需求減少

陶瓷靶材，包括ITO鈀、氧化鎂鈀、氮化硅鈀、碳化硅鈀、氧化鉻鈀、硫化 鋅鈀、二氧化硅鈀、氧化鋁鈀、二氧化鈦鈀、二氧化鋯鈀等

合金靶材，包括鐵鈷鈀、鋁硅鈀、鐵硅鈀、鉻硅鈀、鋅鋁鈀、鈦鋅鈀、鈦鋁 鈀、鈦鋯鈀、鈦硅鈀、鈦鎳鈀、鎳鉻鈀、鎳鋁鈀、鎳鐵鈀等

按形狀可分為：平面靶材、旋轉(zhuǎn)靶材。平面靶材正常濺射消耗量為35%~40%，旋 轉(zhuǎn)靶材正常濺射消耗量可達(dá)70%以上。

按用途可分為：半導(dǎo)體領(lǐng)域用靶材、平板顯示用靶材、太陽(yáng)能電池用靶材、信息 存儲(chǔ)用靶材、光學(xué)靶材、其它用途靶材。

（1）金屬提純 靶材純度要求高，其中薄膜太陽(yáng)能電池與平板顯示器要求純度為4N，集成電路芯片要 求純度為6N。金屬提純的主要方式有化學(xué)提純與物理提純，化學(xué)提純主要分為濕法提 純與火法提純，通過電解、熱分解等方式析出主金屬。物理提純則是通過蒸發(fā)結(jié)晶、 電遷移、真空熔融法等步驟提純得到主金屬。

（2）制造加工 塑性變形、熱處理、控制晶粒取向：與客戶共同開發(fā)，根據(jù)下游應(yīng)用領(lǐng)域的性能需求 進(jìn)行工藝設(shè)計(jì)，然后進(jìn)行反復(fù)的塑性變形、熱處理，需要精確地控制晶粒、晶向等關(guān)鍵指標(biāo)，再經(jīng)過焊接、機(jī)械加工、清洗干燥、真空包裝等工序。靶材制造涉及的工序 精細(xì)繁多，技術(shù)門檻高、設(shè)備投資大，具有規(guī)模化生產(chǎn)能力的企業(yè)數(shù)量相對(duì)較少。

制造方法主要有熔煉法與粉末冶金法：熔煉法主要有真空感應(yīng)熔煉、真空電弧熔煉、 真空電子束熔煉等方法，通過機(jī)械加工將熔煉后的鑄錠制備成靶材，該方法得到的靶 材雜質(zhì)含量低、密度高、可大型化、內(nèi)部無氣孔，但若兩種合金熔點(diǎn)、密度差異較大 則無法形成均勻合金靶材。粉末冶金法主要有熱等靜壓法、熱壓法、冷壓-燒結(jié)法三 種方法，通過將各種原料粉混合再燒結(jié)成形的方式得到靶材，該方法優(yōu)點(diǎn)是靶材成分 較為均勻、機(jī)械性能好，缺點(diǎn)為含氧量較高。

（3）濺射鍍膜

在濺射鍍膜過程中，濺射靶材需要安裝在機(jī)臺(tái)中完成濺射反應(yīng)。濺射機(jī)臺(tái)專用性強(qiáng)、 精密度高，市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷。

就鍍膜而言，主要工藝有物理氣相沉積（PVD）和化學(xué)氣相沉積（CVD）。1）PVD 技術(shù) 是目前主流鍍膜方法，其中的濺射工藝在半導(dǎo)體、顯示面板應(yīng)用廣泛。PVD 技術(shù)分為 真空蒸鍍法、濺鍍法和離子鍍法。三種方法各有優(yōu)劣勢(shì)：真空蒸鍍法對(duì)于基板材質(zhì)沒 有限制；濺鍍法薄膜的性質(zhì)、均勻度都比蒸鍍薄膜好；離子鍍法的繞鍍能力強(qiáng)，清洗 過程簡(jiǎn)化，但在高功率下影響鍍膜質(zhì)量。不同方法的選擇主要取決于產(chǎn)品用途與應(yīng)用 場(chǎng)景。2）CVD 技術(shù)主要通過化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。在高溫下把含有薄膜元素的一種或 幾種氣相化合物或單質(zhì)引入反應(yīng)室，在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。

（4）終端應(yīng)用

半導(dǎo)體芯片：?jiǎn)卧骷械慕橘|(zhì)層、導(dǎo)體層與保護(hù)層需要鉭、鎢、銅、鋁、鈦等 金屬；

平板顯示器件：為了保證大面積膜層的均勻性，提高生產(chǎn)率和降低成本，濺射技術(shù)鍍膜需要鉬、鋁、ITO 等材料；

薄膜太陽(yáng)能電池——第三代，濺射鍍膜工藝是被優(yōu)先選用的制備方法，靶材是不 可或缺的原材料；

計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器：磁信息存儲(chǔ)、磁光信息存儲(chǔ)和全光信息存儲(chǔ)等。在光盤、機(jī)械硬 盤等記錄媒體，需要用鉻基、鈷基合金等金屬材料。

2.1 中期市場(chǎng)空間接近300億元，面板和半導(dǎo)體需求“數(shù)一數(shù)二”

政策支持靶材實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。國(guó)家相繼大力發(fā)展面板和半導(dǎo)體行業(yè)，出現(xiàn)了以京東方 為代表的的面板和以中芯國(guó)際為代表的芯片廠商，多條高世代線和大尺寸產(chǎn)線在建， 面板和半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向大陸轉(zhuǎn)移。但產(chǎn)業(yè)鏈上游配套材料仍主要由以日本為代表的國(guó) 際巨頭企業(yè)為主，當(dāng)下美國(guó)持續(xù)升級(jí)對(duì)中國(guó)科技發(fā)展的限制，相關(guān)電子化學(xué)品的國(guó)產(chǎn) 替代迫在眉睫。為解決“卡脖子”問題，我國(guó)自2006年在《國(guó)家中長(zhǎng)期科學(xué)與技術(shù)發(fā) 展規(guī)劃綱要》中就已經(jīng)確定了要大力發(fā)展核心電子器件及高性能材料，靶材支持相關(guān) 政策不斷涌現(xiàn)。

總計(jì)，國(guó)內(nèi)應(yīng)用以顯示和半導(dǎo)體領(lǐng)域?yàn)橹?，市?chǎng)空間有望從當(dāng)前200億元水平增至 2023年300億元，3年CAGR 9.7%較高增長(zhǎng)。靶材應(yīng)用主要包括平板顯示、記錄媒體、 半導(dǎo)體芯片、薄膜光伏電池等領(lǐng)域。需求結(jié)構(gòu)中，顯示用靶材占比最大、國(guó)內(nèi)京東方 和TCL等廠家份額有望超60%；半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模在兩百億元量級(jí)，技術(shù)要求最高， 大陸及中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)占據(jù)半壁江山；記錄媒體（機(jī)械硬盤HDD為主）用靶材份額僅次于顯 示領(lǐng)域，HDD相對(duì)固態(tài)硬盤在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)無可替代，但市場(chǎng)主要以 海外為主；光伏領(lǐng)域，當(dāng)前薄膜電池以美國(guó)為主，HJT電池由于效率優(yōu)勢(shì)隨著成本下 降發(fā)展可期。2019年，全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模超630億元，預(yù)計(jì)至2023年CAGR為5.2%； 就國(guó)內(nèi)而言，當(dāng)前市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)約200億元，預(yù)計(jì)至2023年CAGR為11.6%，顯示和半導(dǎo) 體領(lǐng)域貢獻(xiàn)主要需求，也是國(guó)內(nèi)靶材廠商的發(fā)力重點(diǎn)，HJT則隨著降本商用可能成為 新增長(zhǎng)點(diǎn)。

之一，面板面積穩(wěn)定增長(zhǎng)，中國(guó)份額逐步提高，顯示領(lǐng)域需求3年CAGR達(dá)8.2%。靶材 在面板領(lǐng)域主要用于顯示面板和觸控屏面板兩個(gè)產(chǎn)品的生產(chǎn)環(huán)節(jié)。2019年全球平板 顯示用靶材市場(chǎng)規(guī)模約313.5億元，國(guó)內(nèi)約127.8億元。展望未來，全球液晶電視面板 需求量接近飽和，但平均尺寸逐漸增加，面板面積穩(wěn)定增長(zhǎng)。LCD領(lǐng)域，三星和LG韓 國(guó)本土LCD產(chǎn)能2020年有望全部關(guān)停，中國(guó)大陸京東方和TCL等廠家TFT-LCD的產(chǎn)能不 斷得到釋放，已經(jīng)占據(jù)液晶顯示面板的主導(dǎo)權(quán)，全球份額由2019年48%提高至2020年 55%左右，考慮行業(yè)出清及外延并購(gòu)，2021年大陸廠商的占有率有望達(dá)到60%以上； OLED在手機(jī)和高端電視應(yīng)用滲透率日益提升，目前韓企先發(fā)優(yōu)勢(shì)顯著，但中國(guó)大陸廠商如京東方、華星光電、維信諾等也在該領(lǐng)域正在持續(xù)的投建、擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)至2022年， 中國(guó)大陸OLED面板總產(chǎn)能占比將接近45%，有望取代韓國(guó)成為全球最大的OLED面板供應(yīng)商。面板面積穩(wěn)定增長(zhǎng)，中國(guó)份額逐步提高，推動(dòng)國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)更快增長(zhǎng)，我們預(yù) 計(jì)到2023年，國(guó)內(nèi)平板顯示用靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)196.4億元，以2020年為基礎(chǔ)3年CAGR達(dá) 8.2%。

之二，中國(guó)開啟晶圓建廠熱潮，2023年市場(chǎng)預(yù)計(jì)50億元量級(jí)，半導(dǎo)體領(lǐng)域需求3年CAGR 達(dá)9.3%。半導(dǎo)體是對(duì)靶材要求純度是最高的領(lǐng)域，也是目前國(guó)產(chǎn)化率最低的一個(gè)領(lǐng)域。 全球半導(dǎo)體靶材市場(chǎng)規(guī)模與全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)規(guī)模變化趨勢(shì)相近，據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)及 中芯國(guó)際招股說明書推測(cè)，靶材在晶圓制造和封測(cè)規(guī)模成本占比約為2.7%。全球半導(dǎo) 體用靶材市場(chǎng)規(guī)模2014年為6.3億美元，到2019年已達(dá)9.8億美元，2014-2019年復(fù)合 增長(zhǎng)率約為9.24%；大陸半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模2014年為4.2億元，到2019年市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)12億元，加上中國(guó)臺(tái)灣，中國(guó)2019年半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模達(dá)30億元，占領(lǐng)半壁江山。

展望未來，據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),2017-2020年間投產(chǎn)的62座半導(dǎo)體晶圓廠中，有26座設(shè)于中 國(guó)，占全球總數(shù)的42%，隨著全球晶圓產(chǎn)能持續(xù)增長(zhǎng)以及中國(guó)大陸開啟晶圓建廠熱潮， ICInsight預(yù)計(jì)2018-2022年全球及中國(guó)晶圓產(chǎn)能按年增速分別達(dá)5.3%和14%，到2023 年全球和中國(guó)半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)有望分別達(dá)到百億量級(jí)和伍拾億量級(jí)。

之三，靶材在光伏領(lǐng)域主要用于薄膜電池和HJT電池，潛在需求值得期待。 薄膜太陽(yáng)能電池是光伏市場(chǎng)重要補(bǔ)充。目前商品化薄膜太陽(yáng)能電池主要包括碲 化鎘（CdTe）、銅銦鎵硒（CIGS）、砷化鎵（GaAs）等，根據(jù)CPIA的統(tǒng)計(jì)，薄膜電 池2019年產(chǎn)量占比4.63%。薄膜電池中，CdTe目前為止商業(yè)化最為成功，其材料 帶隙寬度約1.5eV，與太陽(yáng)光譜更匹配，占全部薄膜太陽(yáng)能電池產(chǎn)量的85.5%，是 未來幾年發(fā)展前景最明確的薄膜電池技術(shù)。薄膜市場(chǎng)主要由美國(guó)First Solar占 據(jù)，出貨量經(jīng)歷多年停滯甚至萎縮后，近年來隨著新一代產(chǎn)品的成本大幅下降， 2019年First Solar公司組件產(chǎn)量大幅增長(zhǎng)112%至5.7GW。展望未來，薄膜太陽(yáng)能 電池具有衰減低、重量輕、材料消耗少、制備能耗低、適合與建筑結(jié)合（BIPV） 等特點(diǎn)，依然是光伏市場(chǎng)的重要補(bǔ)充。

HJT市場(chǎng)占比預(yù)計(jì)穩(wěn)步提高。異質(zhì)結(jié)（HJT）電池由晶體硅+薄膜結(jié)合，從而也結(jié) 合了單晶硅和非晶硅太陽(yáng)能電池的優(yōu)點(diǎn)，制備工藝技術(shù)精簡(jiǎn)，在制備TCO 導(dǎo)電膜 階段主要用到ITO 靶材。HJT在當(dāng)前商業(yè)化及準(zhǔn)商業(yè)化組件中轉(zhuǎn)化效率最高，目 前處于中試或小規(guī)模量產(chǎn)階段，隨著規(guī)模化生產(chǎn)及國(guó)產(chǎn)設(shè)備替代降本可期，按 《中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展路線圖》（2019年版）》HJT市場(chǎng)占比預(yù)計(jì)穩(wěn)步提高，從而拉 動(dòng)靶材需求。

之四，磁材記錄靶材需求以機(jī)械硬盤HDD為主，市場(chǎng)主要在海外。磁記錄靶材規(guī)模僅 次于顯示市場(chǎng)，2015年份額占比為28.6%，當(dāng)前全球市場(chǎng)預(yù)計(jì)約200億元。就格局而言， 記錄靶材目前被東曹、賀利氏等海外企業(yè)占據(jù)，國(guó)內(nèi)生產(chǎn)企業(yè)數(shù)量和產(chǎn)能有限。需要 用到靶材的記錄媒體有光記錄媒體和磁記錄媒體兩種，光記錄媒體以光盤為代表，磁 記錄媒體包括機(jī)械硬盤、磁帶等，其中機(jī)械硬盤在記錄媒體市場(chǎng)中占比最高。目前， 機(jī)械硬盤（HDD）在一般消費(fèi)領(lǐng)域逐漸被速度更快半導(dǎo)體存儲(chǔ)固態(tài)硬盤（SSD）替代， 但機(jī)械硬盤容量大、價(jià)格低、寫入次數(shù)不限、數(shù)據(jù)恢復(fù)簡(jiǎn)單，在服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心等 領(lǐng)域優(yōu)勢(shì)無可替代，2019年全球出貨的機(jī)械硬盤總?cè)萘繒?huì)達(dá)到900EB，2020年可能將 突破1,000EB，預(yù)計(jì)未來仍將保持較快增長(zhǎng)。

2.2 當(dāng)前面板和半導(dǎo)體領(lǐng)域景氣度周期上行

就目前而言，面板和半導(dǎo)體領(lǐng)域景氣度周期上行，且在線辦公+5G+傳統(tǒng)汽車消費(fèi)復(fù)蘇 等帶動(dòng)的上行趨勢(shì)預(yù)計(jì)未來1-2年可維持，刺激靶材企業(yè)開工率提高甚至滿產(chǎn)。

其一，面板出貨量走高趨勢(shì)有望維持。在線辦公需求爆發(fā)，筆記本顯示器出貨量大幅 走高，2020年全球PC出貨量3億臺(tái)，同比增13.5%，根據(jù)疫情進(jìn)度這一趨勢(shì)2021年有望 維持。

其二，半導(dǎo)體主要下游需求穩(wěn)定向好，產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研顯示半導(dǎo)體靶材企業(yè)開工率滿產(chǎn)。 國(guó)內(nèi)2019年末啟動(dòng)5G商用，按照經(jīng)驗(yàn)，從啟動(dòng)到深度覆蓋需要3-4年，預(yù)計(jì)21-24年5G 基站建設(shè)105/130/115/67萬臺(tái)，未來2年將迎來5G基站建設(shè)高潮；2020年全年智能手 機(jī)產(chǎn)量11億臺(tái)，負(fù)增5%，但中期看，5G行業(yè)應(yīng)用仍處于導(dǎo)入期，隨著5G網(wǎng)絡(luò)建設(shè)鋪開， 消費(fèi)級(jí)應(yīng)用有望持續(xù)刺激換機(jī)潮，手機(jī)領(lǐng)域預(yù)計(jì)穩(wěn)定增長(zhǎng)；中國(guó)數(shù)據(jù)中心IDC市場(chǎng)規(guī) 模2007年以來持續(xù)維持24%以上高增，當(dāng)前在建及規(guī)劃?rùn)C(jī)柜數(shù)相比存量增幅明顯，云 計(jì)算和5G+AI接棒，未來數(shù)據(jù)規(guī)模大幅增長(zhǎng)，高增態(tài)勢(shì)有望維持；國(guó)內(nèi)汽車單月產(chǎn)量 結(jié)束負(fù)增態(tài)勢(shì)，2020年4月以來同比持續(xù)正增。

2.3 高純金屬原料和靶材制備外資寡占，國(guó)產(chǎn)替代加速

高純金屬依賴進(jìn)口，國(guó)內(nèi)5N級(jí)高純銅、鈦已自主研發(fā)獲得小批量生產(chǎn)。高純材料的純度對(duì)集成電路的成品率、電性能和可靠性均有十分重要的影響。制造芯片必須采用純 度99.999%以上的高純材料。國(guó)內(nèi)有色金屬品種齊全，但關(guān)鍵新材料開發(fā)嚴(yán)重滯后于 戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展需求，有些高純金屬材料可以自主研發(fā)獲得，如高純銅、鈦，雖 然生產(chǎn)的量不是很大。但更多高純金屬材料需要進(jìn)口，國(guó)內(nèi)極少有廠家能生產(chǎn)純度達(dá) 99.999%的高純鈷。在國(guó)際上，也只有美日等少數(shù)幾個(gè)國(guó)家具備生產(chǎn)能力。這些國(guó)家 的靶材企業(yè)從金屬材料的高純化制備到靶材制造生產(chǎn)具備了完備的技術(shù)垂直整合能 力，控制著全球高端電子制造用靶材的主要市場(chǎng)。因此，迫切需要提升有色金屬的高 純化、精細(xì)化深加工技術(shù)，實(shí)現(xiàn)材料的高附加值及高效利用。長(zhǎng)期以來，中國(guó)廠商主 要通過從國(guó)外進(jìn)口獲得高純金屬供給。全球范圍內(nèi)，高純金屬產(chǎn)業(yè)集中度較高，美國(guó)、 日本等國(guó)家的高純金屬生產(chǎn)商依托先進(jìn)的提純技術(shù)在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中居于十分有利的 地位，這也是國(guó)外得以寡占靶材市場(chǎng)的重要原因。

靶材制造環(huán)節(jié)，日美企業(yè)壟斷，全球CR4企業(yè)市場(chǎng)集中度達(dá)80%。靶材應(yīng)用性較強(qiáng)，濺射靶材行業(yè)在全球范圍內(nèi)呈現(xiàn)明顯的區(qū)域集聚特征，國(guó)外知名靶材公司在靶材研發(fā) 生產(chǎn)方面已有幾十年的積淀，在靶材市場(chǎng)占據(jù)絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，目前 全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)主要有四家企業(yè)：JX 日礦金屬、霍尼韋爾、東曹和普萊克斯，合 計(jì)壟斷了全球80%的市場(chǎng)份額。尤其是濺射靶材中最高端的晶圓制造靶材市場(chǎng)基本被 這四家公司所壟斷，合計(jì)約占全球晶圓制造靶材市場(chǎng)份額的90%，其中JX 日礦金屬規(guī)模最大，占全球晶圓制造靶材市場(chǎng)份額比例為30%。從靶材種類角度看，JX 日礦金屬 是銅靶的主要供應(yīng)商；攀時(shí)與世泰科為鉬靶的主要供應(yīng)商，住友化學(xué)，愛發(fā)科為鋁靶 的主要供應(yīng)商；三井、JX日礦金屬和優(yōu)美科則是ITO 靶材主要供應(yīng)商。

海外缺乏專注的龍頭企業(yè)。我們注意到，海外巨頭靶材銷售在其整體業(yè)務(wù)占比較小， 并入金屬或材料項(xiàng)下披露，公開渠道難以獲得更為精準(zhǔn)數(shù)據(jù)，側(cè)面也反映出靶材市場(chǎng) 的分散特性，雖然2019年全球市場(chǎng)規(guī)模超600億元，但分散于顯示、半導(dǎo)體、磁材記 錄媒體等多個(gè)領(lǐng)域，產(chǎn)品類型多樣、各領(lǐng)域各客戶需求非標(biāo)，限制了規(guī)模經(jīng)濟(jì)的展開。

國(guó)產(chǎn)替代半導(dǎo)體領(lǐng)域具技術(shù)基礎(chǔ)、顯示領(lǐng)域加速。國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，半導(dǎo)體靶材主要參與者 包括有研新材和江豐電子，以有研新材為例，其靶材產(chǎn)品覆蓋中芯國(guó)際、大連Intel、 GF、TSMC、UMC、北方華創(chuàng)等多家高端客戶，銅靶在中芯國(guó)際已經(jīng)是一供，高端產(chǎn)品 “Al系靶材開發(fā)新品8款，其中8-12英寸靶材5款，2款通過客戶驗(yàn)證；多款CuP陽(yáng)極、 8-12英寸銅靶通過客戶驗(yàn)證進(jìn)入批量供貨階段；12英寸Ti靶新品已于多家客戶批量 供貨；12英寸鎳鉑靶材、12英寸高純鈷靶材、8英寸高純鎢靶材在國(guó)內(nèi)外多家主流廠 商通過驗(yàn)證，并取得小批量銷售訂單”,半導(dǎo)體靶材國(guó)產(chǎn)替代技術(shù)基礎(chǔ)已經(jīng)打通；顯示靶材技術(shù)要求低于半導(dǎo)體靶材，平板顯示靶材質(zhì)量和尺寸大，一般就近配套平板顯 示器廠商節(jié)約運(yùn)費(fèi)，主流廠商包括江豐電子、阿石創(chuàng)、隆華科技等不低于四五家，顯 示靶材相比更為成熟，市場(chǎng)規(guī)模大于半導(dǎo)體靶材、競(jìng)爭(zhēng)程度也強(qiáng)于半導(dǎo)體領(lǐng)域。

3.1 江豐電子：業(yè)務(wù)縱橫向延伸，靶材布局面板最大市場(chǎng)。

3.2 阿石創(chuàng)： PVD鍍膜材料領(lǐng)先企業(yè)，定增加碼面板靶材。

3.3 有研新材：半導(dǎo)體靶材及高純金屬原料技術(shù)領(lǐng)先者。

3.4 隆華科技：并購(gòu)進(jìn)入靶材，產(chǎn)品布局面板用鉬鈀和ITO靶。

風(fēng)險(xiǎn)提示：行業(yè)市場(chǎng)空間不及預(yù)期；國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)度不及預(yù)期；下游行業(yè)屬性差異、客 戶需求非標(biāo)，相關(guān)公司業(yè)務(wù)拓展不及預(yù)期。

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