常用的功率元器件有哪些？

風(fēng)力元器件（Power Electronic Device），又稱為功率半半導(dǎo)體器件，用來(lái)電能變幻和電能遏制通路中的大功率（常常指交流電為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏之上）元器件。不妨分為半控型器件、全控型器件和不行控型器件，個(gè)中晶閘管為半控型器件，接受電壓和交流電含量在一切器件中最高；風(fēng)力二極管為不行控器件，構(gòu)造和道理大略，處事真實(shí)；還不妨分為電壓?jiǎn)?dòng)型器件和交流電啟動(dòng)型器件，個(gè)中GTO、GTR為交流電啟動(dòng)型器件，IGBT、風(fēng)力MOSFET為電壓?jiǎn)?dòng)型器件。

1. MCT （MOS Control led Thyristor）：MOS遏制晶閘管

MCT的等效通路圖

MCT 是一種新式MOS 與雙極復(fù)合型器件。如上海圖書館所示。MCT是將 MOSFET 的高阻抗、低啟動(dòng)圖 MCT 的功率、快電門速率的個(gè)性與晶閘管的高壓、大交流電特型貫串在一道，產(chǎn)生大功率、高壓、趕快全控型器件。本質(zhì)上MCT 是一個(gè)MOS 門極遏制的晶閘管。它可在門極上加一窄脈沖使其導(dǎo)通或關(guān)斷，它由多數(shù)單胞串聯(lián)而成。它與GTR，MOSFET， IGBT，GTO 等器件比擬，猶如下便宜：

（1）電壓高、交流電含量大，阻斷電壓已達(dá)3 000V，峰值交流電達(dá)1 000 A，最大可關(guān)斷交流電密度為6 000kA/ m2；

（2）通態(tài)壓降小、耗費(fèi)小，通態(tài)壓降約為11V；

（3）極高的dv/dt和di/dt耐量，dv/dt已達(dá) 20 kV/s ，di/dt為2 kA/s；

（4）電門速率快， 電門耗費(fèi)小，開(kāi)明功夫約200ns，1 000 V 器件可在2 s 內(nèi)關(guān)斷；

2. IGCT（ Intergrated Gate Commutated Thyristors）

IGCT 是在晶閘管本領(lǐng)的普通上貫串 IGBT 和GTO 等本領(lǐng)開(kāi)拓的新式器件，實(shí)用于高壓大容質(zhì)變頻體例中，是一種用來(lái)巨型風(fēng)力電子成套安裝中的新式風(fēng)力半半導(dǎo)體器件。

IGCT 是將GTO 芯片與反串聯(lián)二極管和門極啟動(dòng)通路集成在一道，再與其門極啟動(dòng)器在外層以低電子感應(yīng)辦法貫穿，貫串了晶體管的寧?kù)o關(guān)斷本領(lǐng)和晶閘管低通態(tài)耗費(fèi)的便宜。在導(dǎo)通階段表現(xiàn)晶閘管的本能，關(guān)斷階段表露晶體管的個(gè)性。IGCT 芯片在不串不并的情景下，二電平逆變器功率0.5~ 3 MW，三電平逆變器 1~ 6 MW；若反向二極管辨別，不與IGCT 集成在一道，二電平逆變器功率可擴(kuò)至4 /5 MW，三電平擴(kuò)至 9 MW。

暫時(shí)，IGCT 已營(yíng)商品化， ABB 公司創(chuàng)造的 IGCT 產(chǎn)物的最高本能參數(shù)為4［1］ 5 kV / 4 kA ，最高研制程度為6 kV/ 4 kA。1998 年，阿曼三菱公司也開(kāi)拓了直徑為88 mm 的GCT 的晶閘管IGCT 耗費(fèi)低、 電門趕快等便宜保護(hù)了它能真實(shí)、高功效地用來(lái)300 kW~ 10 MW 變流器，而不須要串聯(lián)和串聯(lián)。

3. IEGT（ InjecTIon Enhanced Gate Transistor） 電子注入鞏固?hào)啪w管

IEGT 是耐壓達(dá) 4 kV 之上的 IGBT 系列風(fēng)力元器件，經(jīng)過(guò)采用鞏固注入的構(gòu)造實(shí)行了低通態(tài)電壓，使大含量風(fēng)力元器件博得了奔騰性的興盛。IEGT 具備動(dòng)作MOS 系列風(fēng)力元器件的潛伏興盛遠(yuǎn)景，具備低耗費(fèi)、高速舉措、高耐壓、有源柵啟動(dòng)智能化等特性，以及沿用溝槽構(gòu)造和多芯片串聯(lián)而自均流的個(gè)性，使其在進(jìn)一步夸大交流電含量上面頗具后勁。其余，經(jīng)過(guò)模塊封裝辦法還可供給稠密派消費(fèi)品，在大、中含量變幻器運(yùn)用中被寄于奢望。阿曼東芝開(kāi)拓的 IECT 運(yùn)用了電子注入鞏固效力，使之兼有 IGBT 和 GTO 兩者的便宜： 低飽和壓降，安定處事區(qū)（接收回路含量?jī)H為 GTO 的格外之一安排） ，低電極啟動(dòng)功率（比 GT O 低兩個(gè)數(shù)目級(jí)）和較高的處事頻次。器件沿用枯燥壓接式電機(jī)引出構(gòu)造，真實(shí)性高， 本能仍舊到達(dá)4.5 kV/ 1 500A 的程度。

4. IPEM（ Intergrated Power Elactronics Mod ules） ：集成風(fēng)力電子模塊

IPEM 是將風(fēng)力電子安裝的諸多器件集成在一道的模塊。它開(kāi)始是將半半導(dǎo)體器件MOSFET， IGBT或MCT 與二極管的芯片封裝在一道構(gòu)成一個(gè)積木單位，而后將那些積木單位迭裝到開(kāi)孔的高電導(dǎo)率的絕緣陶瓷襯底上，在它的底下順序是銅基板、氧化鈹瓷片和散熱片。在積木單位的上部，則經(jīng)過(guò)外表貼裝將遏制通路、門極啟動(dòng)、交流電和溫度傳感器以及養(yǎng)護(hù)通路集成在一個(gè)薄涂層上。IPEM 實(shí)行了風(fēng)力電子本領(lǐng)的智能化和模塊化，大大貶低了通路接報(bào)電子感應(yīng)、體例噪聲和寄生振動(dòng)，普及了體例功效及真實(shí)性

5. PEBB（Power Electric Building Block） ：

典范的PEBB

風(fēng)力電子積木PEBB （ Pow er Elect ric Building Block ） 是在IPEM 的普通上興盛起來(lái)的可處置電能集成的器件或模塊。PEBB 并不是一種一定的半半導(dǎo)體器件，它是按照最優(yōu)的通路構(gòu)造和體例構(gòu)造安排的各別器件和本領(lǐng)的集成。典范的PEBB 上海圖書館所示。固然它看上去很像功率半半導(dǎo)體模塊，但PEBB 除去囊括功率半半導(dǎo)體器件外，還囊括門極啟動(dòng)通路、電平變換、傳感器、養(yǎng)護(hù)通路、電源和無(wú)源器件。PEBB 有能量接口和通信接口。 經(jīng)過(guò)這兩種接口，幾個(gè)PEBB 不妨構(gòu)成風(fēng)力電子體例。那些體例不妨像袖珍的DC- DC 變換器一律大略，也不妨像巨型的散布式風(fēng)力體例那么攙雜。一個(gè)體例中， PEBB的數(shù)目不妨從一個(gè)到大肆多個(gè)。多個(gè) PEBB 模塊一道處事不妨實(shí)行電壓變換、能量的積聚和變換、陰抗配合等體例級(jí)功效，PEBB 最要害的特性即是其通用性。

6．超大功率晶閘管

晶閘管（SCR）自問(wèn)世此后，其功率含量普及了近3000倍。此刻很多國(guó)度已能寧?kù)o消費(fèi)8kV / 4kA的晶閘管。阿曼此刻已投入生產(chǎn)8kV / 4kA和6kV / 6kA的光觸發(fā)晶閘管（LTT）。美利堅(jiān)合眾國(guó)和歐洲重要消費(fèi)電觸發(fā)晶閘管。近十幾年來(lái)，因?yàn)樽躁P(guān)斷器件的飛快興盛，晶閘管的運(yùn)用范圍有所減少，然而，因?yàn)樗母唠妷?、大交流電個(gè)性，它在HVDC、停止無(wú)功積累（SVC）、大功直爽流電源及超大功率和高壓變頻調(diào)價(jià)運(yùn)用上面仍占領(lǐng)格外要害的位置。估計(jì)在此后幾何年內(nèi)，晶閘管仍將在高電壓、大交流電運(yùn)用場(chǎng)所獲得連接興盛。

此刻，很多消費(fèi)商可供給額定電門功率36MVA （ 6kV/ 6kA ）用的高壓大交流電GTO。保守GTO的典范的關(guān)斷增量?jī)H為3～5。GTO關(guān)斷功夫的不平均性惹起的“擠流效力”使其在關(guān)斷功夫dv/dt必需控制在500～1kV/μs。為此，人們不得不運(yùn)用體積大、高貴的接收通路。其余它的門極啟動(dòng)通路較攙雜和訴求較大的啟動(dòng)功率。到暫時(shí)為止， 在高壓（VBR 》 3.3kV ）、大功率（0.5～20 MVA）牽引、產(chǎn)業(yè)和風(fēng)力逆變器中運(yùn)用得最為一致的是門控功率半半導(dǎo)體器件。暫時(shí)，GTO的最高接洽程度為6in、6kV / 6kA以及9kV/10kA。為了滿意風(fēng)力體例對(duì)1GVA之上的三相逆變功率電壓源的須要，近期很有大概開(kāi)拓出10kA/12kV的GTO，并有大概處置30多個(gè)高壓GTO串聯(lián)的本領(lǐng)，可望使風(fēng)力電子本領(lǐng)在風(fēng)力體例中的運(yùn)用上面再上一個(gè)踏步。

7.脈沖功率緊閉電門晶閘管

該器件更加實(shí)用于傳遞極強(qiáng)的峰值功率（數(shù)MW）、極短的連接功夫（數(shù)ns）的尖端放電緊閉電門運(yùn)用場(chǎng)所，如：萊塞、高強(qiáng)度照明、尖端放電焚燒、電磁放射器和雷達(dá)調(diào)制器等。該器件能在數(shù)kV的高壓下趕快開(kāi)明，不須要尖端放電電極，具備很長(zhǎng)的運(yùn)用壽命，體積小、價(jià)錢比擬低，可望代替暫時(shí)尚在運(yùn)用的高壓離子閘流管、引燃管、火花間歇電門或真空電門等。

該器件特殊的構(gòu)造和工藝特性是：門-負(fù)極周界很長(zhǎng)并產(chǎn)生莫大交叉的構(gòu)造，門極表面積占芯片總表面積的90%，而負(fù)極表面積僅占10%；基區(qū)空穴-電子壽命很長(zhǎng)，門-負(fù)極之間的程度隔絕小于一個(gè)分散長(zhǎng)度。上述兩個(gè)構(gòu)造特性保證了該器件在開(kāi)明剎時(shí)，負(fù)極表面積能獲得100%的運(yùn)用。其余，該器件的負(fù)極電極沿用較厚的非金屬層，可接受剎時(shí)峰值交流電。

8.新式GTO器件-集成門極換流晶閘管

暫時(shí)已有兩種慣例GTO的代替品：高功率的IGBT模塊、新式GTO派生器件-集成門極換流IGCT晶閘管。IGCT晶閘管是一種新式的大功率器件，與慣例GTO晶閘管比擬，它具備很多崇高的個(gè)性，比方，不必緩沖通路能實(shí)行真實(shí)關(guān)斷、存貯功夫短、開(kāi)明本領(lǐng)強(qiáng)、關(guān)斷門極電荷少和運(yùn)用體例（囊括一切器件和外層元件如陽(yáng)極內(nèi)阻器平靜沖庫(kù)容器等）總的功率耗費(fèi)低等。

9．高功率溝槽柵構(gòu)造IGBT（Trench IGBT） 模塊

現(xiàn)在高功率IGBT模塊中的IGBT元胞常常多沿用溝槽柵構(gòu)造IGBT。與平面柵構(gòu)造比擬，溝槽柵構(gòu)造常常沿用1μm加工精度，進(jìn)而大大普及了元胞密度。因?yàn)殚T極溝的生存，取消了平面柵構(gòu)造器件中生存的相鄰元胞之間產(chǎn)生的結(jié)型場(chǎng)效力晶體管效力，同聲引入了確定的電子注入效力，使得導(dǎo)回電阻低沉。為減少長(zhǎng)基區(qū)厚薄、普及器件耐壓創(chuàng)作了前提。以是近幾年來(lái)展示的高耐壓大交流電IGBT器件均沿用這種構(gòu)造。

1996年阿曼三菱和日立公司辨別研制勝利3.3kV/1.2kA 宏大含量的IGBT模塊。它們與慣例的GTO比擬，電門功夫減少了20%，電極啟動(dòng)功率僅為GTO的1/1000。1997年富士電機(jī)研制勝利1kA/2.5kV枯燥型IGBT，因?yàn)榧?、放射結(jié)沿用了與GTO一致的枯燥壓接構(gòu)造，沿用更高效的芯片兩頭散熱辦法。更加有意旨的是，制止了大交流電IGBT模塊里面洪量的電極引出線，普及了真實(shí)性和減小了引線電子感應(yīng)，缺陷是芯部分積運(yùn)用率低沉。以是這種枯燥壓接構(gòu)造的高壓大交流電IGBT模塊也可望變成高功率高電壓變流器的預(yù)選功率器件。

10.電子注入鞏固?hào)啪w管IEGT（InjecTIon Enhanced Gate Trangistor）

連年來(lái)，阿曼東芝公司開(kāi)拓了IEGT，與IGBT一律，它也分平面柵和溝槽柵兩種構(gòu)造，前者的產(chǎn)物行將問(wèn)世，后者尚在研制中。IEGT兼有IGBT和GTO兩者的某些便宜：低的飽和壓降，寬的安定處事區(qū)（接收回路含量?jī)H為GTO的1/10安排），低的電極啟動(dòng)功率（比GTO低2個(gè)數(shù)目級(jí)）和較高的處事頻次。加之該器件沿用了枯燥壓接式電極引出構(gòu)造，可望有較高的真實(shí)性。

與IGBT比擬，IEGT構(gòu)造的重要特性是電極長(zhǎng)度Lg較長(zhǎng)，N長(zhǎng)基區(qū)近電極側(cè)的橫向電阻值較高，所以從集電極注入N長(zhǎng)基區(qū)的空穴，不像在IGBT中那么，成功地橫向經(jīng)過(guò)P區(qū)流入放射極，而是在該地區(qū)產(chǎn)生一層空穴積聚層。為了維持該地區(qū)的電中性，放射極必需經(jīng)過(guò)N溝道向N長(zhǎng)基區(qū)注入洪量的電子。如許就使N長(zhǎng)基區(qū)放射極側(cè)也產(chǎn)生了高濃淡載流子積聚，在N長(zhǎng)基區(qū)中產(chǎn)生與GTO中一致的載流子散布，進(jìn)而較好地處置了大交流電、高耐壓的沖突。暫時(shí)該器件已到達(dá)4.5kV /1kA的程度。

11.MOS門控晶閘管

MOS門極遏制晶閘管充溢地運(yùn)用晶閘管杰出的通態(tài)個(gè)性、崇高的開(kāi)明和關(guān)斷個(gè)性，可望具備崇高的自關(guān)斷動(dòng)靜個(gè)性、特殊低的通態(tài)電壓降和耐高壓，變成未來(lái)在風(fēng)力安裝和風(fēng)力體例中有興盛出息的高壓大功率器件。暫時(shí)寰球上有十幾家公司在主動(dòng)發(fā)展對(duì)MCT的接洽。 MOS門控晶閘管重要有三種構(gòu)造：MOS場(chǎng)控晶閘管（MCT）、基極電阻遏制晶閘管（BRT）及射極電門晶閘管（EST）。個(gè)中EST大概是 MOS門控晶閘管中最有蓄意的一種構(gòu)造。然而，這種器件要真實(shí)變成貿(mào)易化的適用器件，到達(dá)代替GTO的程度，還須要十分長(zhǎng)的一段功夫。

12.砷化鎵二極管

跟著變幻器電門頻次的連接普及，對(duì)快回復(fù)二極管的訴求也隨之普及。婦孺皆知，具備比硅二極管出色的高頻電門個(gè)性，然而因?yàn)楣に嚤绢I(lǐng)等上面的因?yàn)?，砷化鎵二極管的耐壓較低，本質(zhì)運(yùn)用遭到控制。為符合高壓、高速、高功效和低EMI運(yùn)用須要，高壓砷化鎵高頻整組二極管已在Motorola 公司研制勝利。與硅快回復(fù)二極管比擬，這種新式二極管的明顯特性是：反向泄電流隨溫度變革小、電門耗費(fèi)低、反向回復(fù)個(gè)性好。

13.碳化硅與碳化硅 （ SiC ） 功率器件

在用新式半半導(dǎo)體資料制成的功率器件中，最有蓄意的是碳化硅 （ SiC ） 功率器件。它的本能目標(biāo)比砷化鎵器件還要高級(jí)中學(xué)一年級(jí)個(gè)數(shù)目級(jí)，碳化硅與其余半半導(dǎo)體資料比擬，具備下列崇高的物理特性： 高的禁帶寬窄，高的飽和電子漂移速率，高的擊穿強(qiáng)度，低的介電常數(shù)和高的熱導(dǎo)率。上述那些崇高的物理個(gè)性，確定了碳化硅在高溫、高頻次、高功率的運(yùn)用場(chǎng)所是極為理念的半半導(dǎo)體資料。在同樣的耐壓和交流電前提下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，縱然高耐壓的 SiC場(chǎng)效力管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。并且，SiC器件的電門功夫可達(dá)10nS量級(jí)，并具備格外出色的 FBSOA。

SiC不妨用來(lái)創(chuàng)造發(fā)射電波頻率和微波功率器件，百般高頻整組器，MESFETS、MOSFETS和JFETS等。SiC高頻功率器件已在Motorola公司研制勝利，并運(yùn)用于微波和發(fā)射電波頻率安裝。GE公司正在開(kāi)拓SiC功率器件和高溫器件（囊括用來(lái)噴氣式引擎的傳感器）。西屋公司仍舊創(chuàng)造出了在26GHz頻次下處事的甚高頻的MESFET。ABB公司正在研制高功率、高電壓的SiC整組器和其余SiC廣播段功率器件，用來(lái)產(chǎn)業(yè)和風(fēng)力體例。

防止爆炸型變頻器該當(dāng)怎樣安排？

跟著風(fēng)力電子本領(lǐng)的連接興盛，變頻調(diào)價(jià)本領(lǐng)日益老練，通用變頻器獲得了趕快興盛，百般品牌的變頻器在自我控制范圍的各行各業(yè)都獲得了普遍的運(yùn)用。但在少許有爆裂性氣體和粉塵比擬多的場(chǎng)合（煤礦\焦化廠\局部化工場(chǎng)）變頻器還沒(méi)有獲得充溢的運(yùn)用，究其因?yàn)橹骷偃缒切﹫?chǎng)合的變頻器須要防止爆炸，而這種變頻器此刻商場(chǎng)上還未見(jiàn)老練產(chǎn)物。按照上述情景，咱們山春風(fēng)光電子有限公司與大屯煤電（團(tuán)體）有限公司共同開(kāi)拓研制勝利了礦用防止爆炸變頻器，該產(chǎn)物已過(guò)程相關(guān)部分審定，現(xiàn)已在大屯煤礦正式投入生產(chǎn)運(yùn)用。

二、變頻器的本領(lǐng)訴求

1、處事情況 有爆裂性氣體或粉塵較多的情況 （防止爆炸）；

2、輸出電壓 交談660V±10% ；

3、調(diào)價(jià)范疇 2—50HZ ；

4、養(yǎng)護(hù)功效 具備短路、過(guò)流、過(guò)壓、欠壓、超溫、停電閉鎖等功效；

5、處事辦法 24鐘點(diǎn)貫串處事制；

6、其余本領(lǐng)目標(biāo)與通用變頻器溝通。

三、變頻器的遏制道理

1、主回路局部

變頻器主回路囊括氣氛斷路器、三相整組器、濾波庫(kù)容、IGBT逆變器

圖1： 主回路電氣道理框圖

2、遏制回路局部

變頻器遏制局部囊括CPU遏制器、IGBT啟動(dòng)通路、交流電檢驗(yàn)和測(cè)定通路、電壓檢驗(yàn)和測(cè)定通路、養(yǎng)護(hù)通路、操縱表露通路。其遏制道理框圖如次：

圖2： 遏制道理框圖

3、變頻器所用重要元件都是采用寰球著名公司消費(fèi)的名牌產(chǎn)物，本能崇高，品質(zhì)真實(shí)。

（1） 逆變器局部采用德國(guó)西門子公司的IGBT模塊，該模塊飽和壓將低，母線電子感應(yīng)小，電門頻次高，構(gòu)造大略，安置簡(jiǎn)單。

（2） CPU遏制器采用美利堅(jiān)合眾國(guó)Intel公司的87C196MC單片機(jī)，該芯片功效完備，演算速率快，是一種高本能的CHMOS 16位單片機(jī)，它功耗小，除平常處事外還不妨處事于2種節(jié)約用電辦法：待機(jī)辦法和掉電辦法。它里面有一個(gè)波形爆發(fā)器，不妨輸入2組互補(bǔ)的3相PWM旗號(hào)，更加運(yùn)用于電機(jī)遏制體例。

（3） 啟動(dòng)通路沿用阿曼三菱公司的M57959L專用啟動(dòng)模塊，該模塊啟動(dòng)功率大，旗號(hào)分隔強(qiáng)，集成化水平高，本能崇高，運(yùn)用簡(jiǎn)單。

四、防止爆炸變頻器研制中的題目和對(duì)策

1、防止爆炸題目

因?yàn)樵撟冾l器所運(yùn)用的情況有爆裂性氣體或粉塵較多，這就訴求變頻器密封防止爆炸，以是它的外殼不許用普遍的殼體，必定用規(guī)范的防止爆炸腔，把變頻器一切的元件都裝在防止爆炸腔內(nèi)。在防止爆炸腔門上開(kāi)一個(gè)查看窗，把表露局部裝在上頭，把啟用、遏止、調(diào)價(jià)遏制裝在防止爆炸腔門上。

2、散熱題目

因?yàn)樽冾l器的一切元件都裝在防止爆炸腔內(nèi)，氣氛不許震動(dòng)，散熱題目變成該變頻器所要處置的要害題目。在這邊咱們沿用了一種新的散熱本領(lǐng)-熱管散熱本領(lǐng)。

（1）熱管本領(lǐng)道理

熱管是一種具備極高導(dǎo)熱本能的預(yù)熱元件，它經(jīng)過(guò)在全封鎖真空中交通管理內(nèi)工質(zhì)的揮發(fā)與凍結(jié)來(lái)傳播熱量，具備極高的導(dǎo)熱性、杰出的等溫性、寒熱兩側(cè)的預(yù)熱表面積可大肆變換、可遠(yuǎn)隔絕預(yù)熱、可遏制溫度等一系列便宜。由熱管構(gòu)成的換熱器具備預(yù)熱功效高、構(gòu)造緊湊、流體阻損小等便宜。

（2）變頻器構(gòu)造安置

咱們將主回路安排成一個(gè)大單位，安置在矩形形防止爆炸腔內(nèi)后壁，后壁上經(jīng)過(guò)一個(gè)過(guò)渡散熱器與IGBT模塊、整組模塊等發(fā)燒元件結(jié)合，防止爆炸外殼外壁加焊槽形散熱器，過(guò)渡散熱器與槽形散熱器經(jīng)過(guò)熱管相貫穿。變頻器里面爆發(fā)的熱量就經(jīng)過(guò)防止爆炸腔后壁 過(guò)渡散熱器 熱管 槽形散熱器分散出去。

3、主回路構(gòu)造與通用變頻器的各別

（1）沒(méi)有延時(shí)回路

制止因延時(shí)替續(xù)器舉措時(shí)爆發(fā)焊花形成的不安定成分，減少了變頻器的安定真實(shí)性。

（2）整組器含量采用比通用變頻器增大學(xué)一年級(jí)倍

手段是為了耐受住變頻器開(kāi)機(jī)剎時(shí)庫(kù)容充氣交流電的報(bào)復(fù)。

（3）濾波庫(kù)容采用多只無(wú)感庫(kù)容串聯(lián)

電解庫(kù)容體積大，高溫情況下易爆裂，不安定；而無(wú)感庫(kù)容體積小，耐高溫、高壓，在這種情況下運(yùn)用特殊安定。

五、中斷語(yǔ)

防止爆炸變頻器研制勝利，彌補(bǔ)了變頻器運(yùn)用行業(yè)的一項(xiàng)空缺。固然，咱們還將在構(gòu)造、工藝、功效等上面進(jìn)一步完備，把防止爆炸變頻器做的更完備，更真實(shí)，更完備。斷定不遠(yuǎn)的未來(lái)防止爆炸變頻器在機(jī)動(dòng)化范圍內(nèi)會(huì)有一個(gè)絢爛的天際

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